首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTMC120AM09CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：295A（Tc）
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1955
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120AM09CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120AM09CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120AM09CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120AM09CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC170AM30CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1700V（1.7kV）
3电流-连续漏极(id)3：100A（Tc）
4最大功率值4：700W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1956
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC170AM30CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC170AM30CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC170AM30CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC170AM30CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC120TAM17CTPAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：147A（Tc）
4最大功率值4：625W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1957
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120TAM17CTPAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM17CTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM17CTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM17CTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC60TLM14CAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V
1Fet类型1：4 个 N 通道（三级反相器）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：219A（Tc）
4最大功率值4：925W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1958
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC60TLM14CAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC60TLM14CAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC60TLM14CAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC60TLM14CAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC120TAM12CTPAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：220A（Tc）
4最大功率值4：925W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1959
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120TAM12CTPAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM12CTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM12CTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM12CTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL214NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.5A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-1960
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL214NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL214NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL214NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL214NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL316CH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：1.4A，1.5A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-1961
包装： 3000个/
￥1.28 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL316CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL316CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL316CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL316CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL207NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.1A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP-6-1
料号：JTG10-1962
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL207NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL207NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL207NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL207NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL205NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-1963
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL205NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL205NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL205NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL205NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL306NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-1964
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL306NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL306NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL306NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL306NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL314PEH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：1.5A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-1965
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL314PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL314PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL314PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL314PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL308PEH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-1966
包装： 3000个/
￥2.08 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL308PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308PEH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL308CH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A，2A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-1967
包装： 3000个/
￥1.90 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL308CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308CH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRLHS6276TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VQFN
封装：6-PQFN（2X2）
料号：JTG10-1968
包装： 4000个/
￥1.79 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRLHS6276TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRLHS6276TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRLHS6276TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRLHS6276TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRFHS9351TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VQFN
封装：6-PQFN（2X2）
料号：JTG10-1969
包装： 4000个/
￥2.01 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFHS9351TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHS9351TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHS9351TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHS9351TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRF9956TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1970
包装： 4000个/
￥3.08 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF9956TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9956TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9956TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9956TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRF7104PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1971
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7104PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7104PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7104PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7104PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRF7309PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4A，3A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1972
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7309PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7309PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7309PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7309PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSO612CVGHUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:SIPMOS® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3A，2A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：PG-DSO-8
料号：JTG10-1973
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSO612CVGHUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSO612CVGHUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSO612CVGHUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSO612CVGHUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRF7301PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:295A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:644nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:380nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6160pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:322nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5600pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:219A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.4A，1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:282pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:294pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:275pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:SIPMOS® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:340pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.2A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1974
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7301PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7301PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7301PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7301PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页2001-2020条    101/273页    首 页    上一页   97  98  99  100  101  102  103  104  105   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922