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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IPG20N10S4L35ATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：43W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8-4（5.15X6.15）
料号：JTG10-1995
包装： 5000个/
￥4.85 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N10S4L35ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSZ15DC02KDHXTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.1A，3.2A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：PG-TSDSON-8-FL（3.3X3.3）
料号：JTG10-1996
包装： 5000个/
￥4.05 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSZ15DC02KDHXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSZ15DC02KDHXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSZ15DC02KDHXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRFHM8363TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：11A
4最大功率值4：2.7W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：8-PQFN（3.3X3.3），POWER33
料号：JTG10-1997
包装： 4000个/
￥4.07 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFHM8363TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM8363TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM8363TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM8363TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRF7319PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1998
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7319PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7319PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7319PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7319PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IPG20N06S2L35ATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：65W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8-4（5.15X6.15）
料号：JTG10-1999
包装： 5000个/
￥4.85 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPG20N06S2L35ATMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S2L35ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S2L35ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S2L35ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IPG20N04S412AATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V
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料号：JTG10-2000
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： IPG20N04S4L11AATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N04S4L11AATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRF7380PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：3.6A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2002
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7380PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7380PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7380PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： IRF7311PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V
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外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2003
包装：
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型号： IPG20N10S436AATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:990pF @ 25V
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
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合作现货:0
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型号： IPG20N06S2L50AATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:990pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 19µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 25V
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S2L50AATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S2L50AATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S2L50AATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSC0924NDIATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:990pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 19µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1160pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：17A，32A
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外壳：8-POWERTDFN
封装：PG-TISON-8
料号：JTG10-2007
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￥3.56 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSC0924NDIATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSC0923NDIATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:990pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 19µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1160pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1160pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：17A，32A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：PG-TISON-8
料号：JTG10-2008
包装： 5000个/
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型号： BSZ215CHXTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:990pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 19µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1160pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A，32A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1160pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.1A，3.2A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：PG-TSDSON-8-FL（3.3X3.3）
料号：JTG10-2009
包装： 5000个/
￥4.70 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IPG20N04S4L08ATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：54W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8-4（5.15X6.15）
料号：JTG10-2010
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状态： 在售
型号： IPG20N06S2L35AATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
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4最大功率值4：65W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
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型号： IPG20N04S4L08AATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：54W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8-10
料号：JTG10-2012
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 8TDSON
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制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 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状态： 在售
型号： BSO203PHXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A，3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 27µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 15µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:990pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 16µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1105pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 19µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V 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1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：P-DSO-8
料号：JTG10-2014
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSO203PHXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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