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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： STS7C4F30L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7A，4A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2055
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS7C4F30L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS7C4F30L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS7C4F30L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS7C4F30L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STS3DPF60L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2056
包装： 2500个/
￥5.02 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS3DPF60L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3DPF60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3DPF60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3DPF60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STC5NF30V
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-2057
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STC5NF30V' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STC5NF30V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STC5NF30V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STC5NF30V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STS8DNH3LL
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2058
包装： 2500个/
￥4.33 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS8DNH3LL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8DNH3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8DNH3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8DNH3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STS3C2F100
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2059
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS3C2F100' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3C2F100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3C2F100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3C2F100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STS3DNE60L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2060
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3DNE60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3DNE60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS3DNE60L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STS4DNF60
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2061
包装： 2500个/
￥8.50 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DNF60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DNF60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DNF60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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总额：
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： STC5DNF30V
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-2062
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STC5DNF30V' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STC5DNF30V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STC5DNF30V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STC5DNF30V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STS1DN45K3
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：450V
3电流-连续漏极(id)3：500mA
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2063
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS1DN45K3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS1DN45K3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STS1DNF20
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET N-CH 8SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-2064
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS1DNF20' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS1DNF20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS1DNF20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS1DNF20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STL60N32N3LL
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：32A，60A
4最大功率值4：23W，50W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X6）
料号：JTG10-2065
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL60N32N3LL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL60N32N3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL60N32N3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL60N32N3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PMDPB65UP,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A
4最大功率值4：520mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-HUSON（2X2）
料号：JTG10-2066
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMDPB65UP,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB65UP,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB65UP,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB65UP,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PMGD8000LN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：125mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-2067
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMGD8000LN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD8000LN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD8000LN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD8000LN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMWD26UN,518
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1366pF @ 16V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：7.8A
4最大功率值4：3.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-2068
包装： 5000个/
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状态： 在售
型号： PMWD20XN,118
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1366pF @ 16V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 16V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：10.4A
4最大功率值4：4.2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-2069
包装：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZXMD65P03N8TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1366pF @ 16V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 16V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.8A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：1.25W
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2070
包装：
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合作现货:0
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型号： PMGD400UN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1366pF @ 16V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 16V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 25V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:710mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：710mA
4最大功率值4：410mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-2071
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMGD400UN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD400UN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZDM4206NTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1366pF @ 16V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 16V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 25V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:710mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：2.75W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-223-8
封装：SOT-223
料号：JTG10-2072
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDM4206NTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDM4206NTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDM4206NTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDM4206NTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NDM3000
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A SO16
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1366pF @ 16V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 16V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 25V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:710mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 10V
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-2073
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDM3000' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDM3000' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDM3000' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NDS8936
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
参数： 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A，4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:857pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:815pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 2.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 25V 系列:SuperMESH3™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:450V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 25V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A，60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 10V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:125mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.5pF @ 5V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1366pF @ 16V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 4.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:740pF @ 16V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:930pF @ 25V 系列:TrenchMOS™ 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:710mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.89nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:720pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2074
包装： 2500个/
￥4.91 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS8936' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS8936' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS8936' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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