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元器件型号：5430 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SI7956DP-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：150V
3电流-连续漏极(id)3：2.6A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-193
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7956DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7956DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7956DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7956DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDPC8011S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-PQFN（3.3X3.3），POWER33
料号：JTG10-194
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDPC8011S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDPC8011S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDPC8011S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDPC8011S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DF23MR12W1M1B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MOD 1200V 25A
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：25A（Tj）
4最大功率值4：20mW
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-EASY1BM-2
料号：JTG10-3664
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF23MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF23MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF23MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF23MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SI7994DP-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：60A
4最大功率值4：46W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-195
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7994DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7994DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7994DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7994DP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SLA5064
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：10A
4最大功率值4：5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：12-SIP
封装：12-SIP
料号：JTG10-196
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SLA5064' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5064' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5064' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5064' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TC8020K6-G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：6 N 和 6 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：56-VFQFN 裸露焊盘
封装：56-QFN（8X8）
料号：JTG10-197
包装：
￥73.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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状态： 在售
型号： CCS020M12CM2
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
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6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-198
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CCS020M12CM2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CCS020M12CM2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CCS020M12CM2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CAS120M12BM2
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ）
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包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAS120M12BM2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CAS300M17BM2
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ）
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2漏源极电压(vdss)2：1700V（1.7kV）
3电流-连续漏极(id)3：325A（Tc）
4最大功率值4：1760W
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外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-200
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型号： FC6946010R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：100mA
4最大功率值4：125mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F3-B
料号：JTG10-201
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FC6946010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FC6946010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FC6946010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： FC6943010R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：100mA
4最大功率值4：125mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F3-B
料号：JTG10-202
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FC6943010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DMN63D8LDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：220mA
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-203
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN63D8LDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D8LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D8LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D8LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SSM6N7002BFE,LM
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：200mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：ES6
料号：JTG10-204
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N7002BFE,LM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N7002BFE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N7002BFE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N7002BFE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VT6M1T2CR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：100mA
4最大功率值4：120mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：VMT6
料号：JTG10-205
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VT6M1T2CR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6M1T2CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6M1T2CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6M1T2CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN63D8LV-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:260mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:450mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：260mA
4最大功率值4：450mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-206
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN63D8LV-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D8LV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D8LV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D8LV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EM6K34T2CR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:260mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:450mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，0.9V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：200mA
4最大功率值4：120mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG10-207
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NX3020NAKS,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 180MA 6TSSOP
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:260mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:450mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:180mA 不同id，vgs 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：180mA
4最大功率值4：375mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-208
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NX3020NAKS,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX3020NAKS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX3020NAKS,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： DMN65D8LDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 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P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:260mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:450mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:180mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4最大功率值*4:375mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:180mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 115mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：180mA
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-209
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN65D8LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UM6K33NTN
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:260mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:450mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:180mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *4最大功率值*4:375mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:180mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 欧姆 @ 115mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：200mA
4最大功率值4：120mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：UMT6
料号：JTG10-210
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UM6K33NTN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UM6K33NTN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMN53D0LDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V *4最大功率值*4:20mW *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:80nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V *4最大功率值*4:46W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 5A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V *4最大功率值*4:5W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N 和 6 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V *4最大功率值*4:- *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:29.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:61.5nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 800V *4最大功率值*4:167W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:193A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 6mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:378nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6300pF @ 1000V *4最大功率值*4:925W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:325A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 225A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1076nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 1000V *4最大功率值*4:1760W *6工作温度*6:-40°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 3V *4最大功率值*4:125mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:870nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:300mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7.1pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:260mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.87nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 25V *4最大功率值*4:450mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，0.9V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 10V *4最大功率值*4:120mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:180mA 不同id，vgs 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：360mA
4最大功率值4：310mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-211
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN53D0LDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN53D0LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN53D0LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN53D0LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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