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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： GWM120-0075X1-SLSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：75V
3电流-连续漏极(id)3：110A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，扁平引线
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-2555
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM120-0075X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM120-0075X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM120-0075X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM120-0075X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： GWM120-0075X1-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：75V
3电流-连续漏极(id)3：110A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，鸥翼型
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-2556
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM120-0075X1-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM120-0075X1-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GWM120-0075X1-SMDSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：75V
3电流-连续漏极(id)3：110A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，鸥翼型
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-2557
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM120-0075X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM120-0075X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM120-0075X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： GWM160-0055X1-SL
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：150A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，扁平引线
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-2558
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM160-0055X1-SL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： GWM160-0055X1-SLSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：150A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，扁平引线
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-2559
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM160-0055X1-SLSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
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2漏源极电压(vdss)2：55V
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包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM160-0055X1-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM160-0055X1-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM160-0055X1-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM160-0055X1-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： GWM160-0055X1-SMDSAM
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：150A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，鸥翼型
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-2561
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWM160-0055X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM160-0055X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM160-0055X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWM160-0055X1-SMDSAM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NTHD2102PT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3.4A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：CHIPFET™
料号：JTG10-2562
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTHD2102PT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD2102PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD2102PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD2102PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTHD4401PT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.1A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：CHIPFET™
料号：JTG10-2563
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTHD4401PT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD4401PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD4401PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD4401PT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTHD5903T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.2A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：CHIPFET™
料号：JTG10-2564
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD5903T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NTLGD3502NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.3A，3.6A
4最大功率值4：1.74W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（3X3）
料号：JTG10-2565
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTLGD3502NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLGD3502NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLGD3502NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLGD3502NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTLTD7900ZR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：MICRO8™
料号：JTG10-2566
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTLTD7900ZR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLTD7900ZR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLTD7900ZR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLTD7900ZR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ECH8619-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3A，2A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-ECH
料号：JTG10-2567
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ECH8619-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8619-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8619-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8619-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： CSD75204W15
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:410pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：700mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：9-UFBGA，DSBGA
封装：9-DSBGA
料号：JTG10-2568
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD75204W15' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD75204W15' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD75204W15' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD75204W15' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CSD75205W1015
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:410pF @ 10V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:265pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.2A
4最大功率值4：750mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFBGA，DSBGA
封装：6-DSBGA（1X1.5）
料号：JTG10-2569
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD75205W1015' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD75205W1015' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD75205W1015' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD75205W1015' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NTLUD3191PZTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:410pF @ 10V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:265pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.1A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（1.6X1.6）
料号：JTG10-2570
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTLUD3191PZTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD3191PZTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD3191PZTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD3191PZTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTLUD3191PZTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:410pF @ 10V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:265pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.1A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（1.6X1.6）
料号：JTG10-2571
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTLUD3191PZTAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD3191PZTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SSM6N42FE(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:410pF @ 10V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:265pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:90pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：800mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：ES6（1.6X1.6）
料号：JTG10-2572
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N42FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N42FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N42FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N42FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N7002BFE(T5L,F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:410pF @ 10V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:265pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:90pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：200mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：ES6（1.6X1.6）
料号：JTG10-2573
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N7002BFE(T5L,F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N7002BFE(T5L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SSM6N7002BFU(T5L,F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:110A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.9 毫欧 @ 60A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:115nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:105nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:715pF @ 6.4V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A，3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:93 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:410pF @ 10V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:265pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:240 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:90pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：200mA
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG10-2574
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N7002BFU(T5L,F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N7002BFU(T5L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N7002BFU(T5L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N7002BFU(T5L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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