首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SI4816DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A，7.7A
4最大功率值4：1W，1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2654
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4816DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4816DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4816DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4816DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4818DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A，7A
4最大功率值4：1W，1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2655
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4818DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4818DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4818DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4818DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMLDM8002AG TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：280mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3615
包装： 3000个/
￥2.46 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLDM8002AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLDM8002AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLDM8002AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLDM8002AG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4818DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A，7A
4最大功率值4：1W，1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2656
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4818DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4818DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4818DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4818DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4830ADY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.7A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2657
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4830ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4830ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4830ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4830ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4834BDY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.7A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2658
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4834BDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4834BDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4834BDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4834BDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4908DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：2.75W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2659
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4908DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4908DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4908DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4908DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4920DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2660
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4920DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4920DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4920DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4920DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4923DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.2A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2661
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4923DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4923DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4923DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4923DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4923DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.2A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2662
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4923DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4923DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4923DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4923DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4933DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：7.4A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2663
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4933DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4933DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4933DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4933DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4940DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：4.2A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2664
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4940DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4940DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4940DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4940DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC3025LSDQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFETN/P-CH30VSO-8
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A（Ta），4.2A（Ta）
4最大功率值4：1.2W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3617
包装： 2500个/
￥2.56 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC3025LSDQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3025LSDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3025LSDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3025LSDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4940DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：4.2A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2665
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4940DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4940DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4940DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4940DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4942DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 7.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2666
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4942DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4942DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4942DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4942DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4944DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 7.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 12.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：9.3A
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2667
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4944DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4944DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4944DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4944DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4965DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 7.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 12.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2668
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4965DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4965DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4965DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4965DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4965DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 7.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 12.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2669
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4965DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4965DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4965DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4965DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4967DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 7.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 12.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2670
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4967DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4967DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4967DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4967DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4967DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
参数： 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:LITTLE FOOT® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:7.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 500µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），4.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC，5.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:501pF，590pF @ 15V，25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:4.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 7.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 12.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2671
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4967DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4967DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4967DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4967DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页2721-2740条    137/273页    首 页    上一页   133  134  135  136  137  138  139  140  141   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922