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元器件型号：5451 件
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*fet 类型

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SI4972DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10.8A，7.2A
4最大功率值4：3.1W，2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2672
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4972DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： UT6JA3TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5A（Ta）
4最大功率值4：2W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-PowerUDFN
封装：HUML2020L8
料号：JTG10-3619
包装： 3000个/
￥2.97 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4973DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.8A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2673
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4973DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4973DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4973DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4973DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SI5504DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.9A，2.1A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2674
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5504DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5504DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5504DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5504DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5509DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6.1A，4.8A
4最大功率值4：4.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2675
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5509DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5509DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5509DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5509DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SI5513DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.1A，2.1A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
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型号： SI5903DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
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外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2677
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5903DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
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封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2678
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
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5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：4A
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2679
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5905BDC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2680
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5905DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： SI5905DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
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参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V
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外壳：8-SMD，扁平引线
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料号：JTG10-2682
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型号： SI5915BDC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2683
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型号： SI5915DC-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
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2漏源极电压(vdss)2：8V
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外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2684
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型号： SI5915DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3.4A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2685
包装：
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合作现货:0
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型号： SI5933DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.7A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2686
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5933DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5933DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： SI5935DC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:86 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2687
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5935DC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SI5943DU-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:86 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 6V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：8.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® CHIPFET™ 双
封装：POWERPAK® CHIPFET 双
料号：JTG10-2688
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5943DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5943DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5943DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5943DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI5944DU-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:86 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:112 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：10W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® CHIPFET™ 双
封装：POWERPAK® CHIPFET 双
料号：JTG10-2689
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5944DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5944DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5944DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5944DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5975DC-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.8A，7.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.1A，4.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:52 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:455pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A，2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 4V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 2.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:86 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:112 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:86 毫欧 @ 3.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 1mA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：3.1A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-2690
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5975DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5975DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5975DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5975DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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