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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： LN100LA-G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-沟道（级联）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-25°C ~ 125°C（TJ）
外壳：6-VFLGA
封装：6-LFGA（3X3）
料号：JTG10-2828
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LN100LA-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN100LA-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN100LA-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN100LA-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VEC2616-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3A，2.5A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-VEC
料号：JTG10-2829
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VEC2616-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VEC2616-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VEC2616-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VEC2616-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TMC1320-LA
品牌： Trinamic Motion Control GmbH
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8PQFN
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道，共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.3A，5.3A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-PQFN（3X3）
料号：JTG10-2830
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TMC1320-LA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Trinamic Motion Control GmbH' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1320-LA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1320-LA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1320-LA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： TMC1340-SO
品牌： Trinamic Motion Control GmbH
描述： MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.5A，4.1A
4最大功率值4：1.38W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2831
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TMC1340-SO' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Trinamic Motion Control GmbH' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1340-SO' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1340-SO' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1340-SO' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： TMC1420-LA
品牌： Trinamic Motion Control GmbH
描述： MOSFET N/P-CH 40V 8PQFN
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：8.8A，7.3A
4最大功率值4：3.57W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：PQFN（5X6）
料号：JTG10-2832
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TMC1420-LA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Trinamic Motion Control GmbH' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1420-LA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1420-LA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1420-LA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TMC1620-TO
品牌： Trinamic Motion Control GmbH
描述： MOSFET N/P-CH 60V TO252-4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道，共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：6.6A，4.7A
4最大功率值4：3.13W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-252-5，DPAK（4 引线 + 接片），TO-252AD
封装：TO-252-4L
料号：JTG10-2833
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TMC1620-TO' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Trinamic Motion Control GmbH' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1620-TO' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1620-TO' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC1620-TO' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MCH6605-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：140mA
4最大功率值4：800mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：6-MCPH
料号：JTG10-2834
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH6605-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6605-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6605-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6605-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MCH6606-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET PCH DUAL MCPH6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：
封装：
料号：JTG10-2835
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH6606-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6606-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6606-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6606-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： AO3415B
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：
封装：
料号：JTG10-2836
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO3415B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO3415B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO3415B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO3415B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4613_001
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2837
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品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
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4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2838
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614B_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614B_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V
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5Fet功能5：逻辑电平门
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3电流-连续漏极(id)3：6A，5A
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2839
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4614BL_103' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： AO4616L_102
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A，7A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2840
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4616L_102' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AO4800L
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 6.9A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.9A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2841
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4800L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4800L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4800L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4800L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4801AL
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2842
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4801AL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： AO4801AL_001
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2843
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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型号： AO4801AS
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 欧姆 @ 40mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.2pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
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6工作温度6：-
外壳：
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料号：JTG10-2844
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型号： AO4801HL
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
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1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
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外壳：
封装：
料号：JTG10-2845
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 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时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-2846
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4801L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AO4803AL
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-沟道（级联） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3000 欧姆 @ 2mA，2.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:505pF @ 20V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.3A，5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:960pF @ 25V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A，7.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 15V 系列:- 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.6A，4.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1560pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:140mA 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制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-2847
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4803AL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4803AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4803AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4803AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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