元器件型号:5451
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压(vdss)

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*电流 - 连续漏极(id)

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不同id,vgs 时的rds on(最大值)

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不同 id 时的 vgs(th)(最大值)

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不同 vgs 时的栅极电荷(qg)

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不同 vds 时的输入电容(ciss)

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: AO4852L
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:3A
4最大功率值4:1.4W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SO
料号:JTG10-2867
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4852L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4852L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4852L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: QH8K51TR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: QH8K51 IS THE LOW ON - RESISTANC
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:100V
3电流-连续漏极(id)3:2A(Ta)
4最大功率值4:1.1W(Ta)
6工作温度6:150°C(TJ)
外壳:8-SMD,扁平引线
封装:TSMT8
料号:JTG10-3629
包装: 3000个/
4.08 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QH8K51TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: AO4854L_102
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:8A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SO
料号:JTG10-2868
包装:
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4854L_102' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4854L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4854L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4854L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: AO4884L_001
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:40V
3电流-连续漏极(id)3:10A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SO
料号:JTG10-2869
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4884L_001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4884L_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4884L_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4884L_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: AO4914_101
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:8A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SO
料号:JTG10-2870
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4914_101' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4914_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4914_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4914_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AO4914L
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:8A
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SO
料号:JTG10-2871
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4914L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4914L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4914L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4914L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AO4924L
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:-
4最大功率值4:2W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SO
料号:JTG10-2872
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4924L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4924L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4924L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4924L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AO6604_001
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:3.4A,2.5A
4最大功率值4:1.1W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG10-4000
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6604_001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6604_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6604_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6604_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: AO6601_001
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V
1Fet类型1:N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:3.4A,2.3A
4最大功率值4:1.15W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG10-2873
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6601_001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6601_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6601_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6601_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: AO6604L_001
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V
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封装:6-TSOP
料号:JTG10-2874
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合作现货:0
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型号: AO6800L_003
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
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1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
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3电流-连续漏极(id)3:3.4A
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6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6802L_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6802L_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6802L_001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AO6804A_101
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:5A
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6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG10-2877
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6804A_101' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6804A_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6804A_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6804A_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AO6808_101
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:4.6A
4最大功率值4:800mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG10-2878
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6808_101' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6808_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6808_101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: AO8801AL
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):905pF @ 10V
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:4.5A
4最大功率值4:1.5W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽)
封装:8-TSSOP
料号:JTG10-2879
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO8801AL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8801AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8801AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8801AL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: AO8801L
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2P-CH 20V 4.7 8TSSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):905pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1450pF @ 10V
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:4.7A(Ta)
4最大功率值4:1.4W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:-
封装:8-TSSOP
料号:JTG10-2880
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO8801L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8801L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8801L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8801L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: AO8804_100
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 20V
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):905pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1450pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1810pF @ 10V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:-
4最大功率值4:1.5W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽)
封装:8-TSSOP
料号:JTG10-2881
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8804_100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8804_100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8804_100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AO8804L
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 20V
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):905pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1450pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1810pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1810pF @ 10V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:-
4最大功率值4:1.5W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽)
封装:8-TSSOP
料号:JTG10-2882
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8804L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8804L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8804L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):905pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1450pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1810pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1810pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1295pF @ 10V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:7A
4最大功率值4:1.5W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽)
封装:8-TSSOP
料号:JTG10-2883
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO8810#A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8810#A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8810#A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8810#A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: AO8814#A
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
参数: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):90 毫欧 @ 3A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):450pF @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):325 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1950pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20.5 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):865pF @ 15V 系列:SRFET™ 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):15.8 毫欧 @ 9A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):31nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1885pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):285pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A,2.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):320pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):28 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):225pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):905pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):42 毫欧 @ 4.7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1450pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1810pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):17.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1810pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):20 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1295pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id,vgs 时的rds on(最大值):16 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):1390pF @ 10V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:-
4最大功率值4:1.5W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-TSSOP(4.40mm 宽)
封装:8-TSSOP
料号:JTG10-2884
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO8814#A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8814#A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8814#A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO8814#A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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