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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IRFHM792TR2PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：2.3W
6工作温度6：2.3W
外壳：8-POWERVDFN
封装：8-PQFN（3.3X3.3），POWER33
料号：JTG10-3061
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFHM792TR2PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM792TR2PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM792TR2PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM792TR2PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IRFHM8363TR2PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：11A
4最大功率值4：2.7W
6工作温度6：2.7W
外壳：8-POWERVDFN
封装：8-PQFN（3.3X3.3），POWER33
料号：JTG10-3062
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFHM8363TR2PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM8363TR2PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM8363TR2PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFHM8363TR2PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CTLDM303N-M832DS BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.6A（Ta）
4最大功率值4：1.65W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TDFN 裸露焊盘
封装：TLM832DS
料号：JTG10-4105
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CTLDM303N-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM303N-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM303N-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM303N-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BSD235NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：950mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG10-3063
包装： 3000个/
￥0.72 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSD235NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSD235NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSD235NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSD235NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL207NL6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.1A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-3064
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL207NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL207NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL207NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL207NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSL308PEL6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-3065
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL308PEL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308PEL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308PEL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL308PEL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSL806NL6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-3066
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSL806NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL806NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL806NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL806NL6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AUIRF7103Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：2.4W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3067
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7103Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7103Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7103Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7103Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AUIRF7303Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A
4最大功率值4：2.4W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3068
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7303Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSZ0910NDXTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DIFFERENTIATED MOSFETS
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：9.5A（Ta），25A（Tc）
4最大功率值4：1.9W（Ta），31W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PG-WISON-8
料号：JTG10-3644
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSZ0910NDXTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSZ0910NDXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSZ0910NDXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSZ0910NDXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AUIRF7304Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3069
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7304Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7304Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7304Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7304Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AUIRF7309Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4A，3A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3070
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7309Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7309Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7309Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7309Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AUIRF7313Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.9A
4最大功率值4：2.4W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3071
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7313Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7313Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7313Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7313Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AUIRF7316Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3072
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7316Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AUIRF7319Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A，4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A，4.9A
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3073
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7319Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： AUIRF7341Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A，4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：5.1A
4最大功率值4：2.4W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3074
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7341Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7341Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7341Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7341Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AUIRF7342Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds 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时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A，4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:690pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：3.4A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3075
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7342Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF7342Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： AUIRF7379Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds 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时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A，4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:690pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.8A，4.3A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3076
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF7379Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AUIRF9952Q
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds 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时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A，4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:690pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A，2.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3077
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRF9952Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF9952Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF9952Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRF9952Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRF6802SDTR1PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
参数： 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:195 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:251pF @ 25V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1165pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:950mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:350 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:63pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 2.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:419pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:515pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A（Ta），25A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 6.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:755pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:34nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:710pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A，4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:780pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:690pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 35µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 13V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：16A
4最大功率值4：1.7W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：DIRECTFET™ 等容 SA
封装：DIRECTFET™ SA
料号：JTG10-3078
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF6802SDTR1PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF6802SDTR1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF6802SDTR1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF6802SDTR1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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