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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IRF9395MTR1PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：14A
4最大功率值4：2.1W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：DIRECTFET™ 等距 MC
封装：DIRECTFET™ MC
料号：JTG10-3079
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF9395MTR1PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9395MTR1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9395MTR1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9395MTR1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRF9389PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.8A，4.6A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3080
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF9389PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9389PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9389PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9389PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： IPG20N06S415ATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：50W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8-4（5.15X6.15）
料号：JTG10-3081
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPG20N06S415ATMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S415ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S415ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S415ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IPG20N06S4L14ATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 8TDSON
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：50W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8-4（5.15X6.15）
料号：JTG10-3082
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IPG20N06S4L14ATMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S4L14ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S4L14ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IPG20N06S4L14ATMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： UPA2792GR
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： -
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3083
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UPA2792GR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UPA2792GR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UPA2792GR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UPA2792GR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SUF621EF
品牌： AUK Semiconductor AUK 韩国光电子
描述：
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563-6
料号：JTG10-3084
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SUF621EF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AUK Semiconductor' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： BSO150N03MDGXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V
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封装：PG-DSO-8
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合作现货:0
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型号： BSC072N03LDGATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
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外壳：8-POWERVDFN
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料号：JTG10-3086
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海外现货:0
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型号： TPD3215M
品牌： Transphorm
描述： GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：70A（Tc）
4最大功率值4：470W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3087
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPD3215M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Transphorm' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPD3215M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPD3215M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPD3215M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDG6301N-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：220mA
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-3088
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AO6608
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET ARRAY N/P-CH 30/20V 6TSOP
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V，20V
3电流-连续漏极(id)3：3.4A（Ta），3.3A（Ta）
4最大功率值4：1.25W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG10-3089
包装： 3000个/
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4590DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：100V
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4最大功率值4：2.4W，3.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3090
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合作现货:0
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型号： BSC150N03LDGATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
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3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：26W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8
料号：JTG10-3091
包装： 5000个/
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状态： 在售
型号： SQJ974EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3092
包装： 3000个/
￥5.21 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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1~2周可到达
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型号： SQJ963EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1140pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Tc）
4最大功率值4：27W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TA）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3093
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： EPC2100ENGRT
品牌： EPC EPC
描述： GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1140pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10A（Ta），40A（Ta）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3094
包装： 500个/
￥36.70 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2102ENGRT
品牌： EPC EPC
描述： GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1140pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：23A（Tj）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3095
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FDS6898AZ-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1140pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3096
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS6898AZ-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6898AZ-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FF45MR12W1M1B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MODULE 1200V 50A
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1140pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：25A（Tj）
4最大功率值4：20mW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-EASY1BM-2
料号：JTG10-3991
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF45MR12W1M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF45MR12W1M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF45MR12W1M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF45MR12W1M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMCXB900UELZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
参数： 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:14A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:64nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3241pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.8A，4.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:398pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.7 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2890pF @ 25V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列: 制造商:AUK Semiconductor 制造商统称:未设定 制造商统称:AUK Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 9.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 15V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3500pF @ 15V 系列:- 制造商:Transphorm 制造商统称:未设定 制造商统称:Transphorm 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:70A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 30A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2260pF @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.4A，10V，75 毫欧 @ 3.3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V，510pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A，2.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:360pF @ 50V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1140pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:21.3pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：600mA
4最大功率值4：380mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG10-3097
包装： 5000个/
￥0.98 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMCXB900UELZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMCXB900UELZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
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