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元器件型号：5430 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5430
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NDC7003P
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：340mA
4最大功率值4：700mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：SUPERSOT™-6
料号：JTG10-292
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NDC7003P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDC7003P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDC7003P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDC7003P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： SI5513CDC-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A，3.7A
4最大功率值4：3.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-293
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5513CDC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5513CDC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5513CDC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5513CDC-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SIA533EDJ-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A
4最大功率值4：7.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-294
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA533EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA533EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA533EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA533EDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： QS6K21TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：45V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：TSMT6
料号：JTG10-295
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QS6K21TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6K21TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6K21TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6K21TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： US6K4TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.5A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：TUMT6
料号：JTG10-296
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'US6K4TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6K4TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6K4TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'US6K4TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN4031SSD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：5.2A
4最大功率值4：1.42W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-297
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN4031SSD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN4031SSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN4031SSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN4031SSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： QS6J11TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：2A
4最大功率值4：600mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：TSMT6
料号：JTG10-298
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QS6J11TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6J11TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6J11TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6J11TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SI6968BEDQ-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.2A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-299
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI6968BEDQ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI6968BEDQ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI6968BEDQ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI6968BEDQ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： QS6K1TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：TSMT6
料号：JTG10-300
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QS6K1TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6K1TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6K1TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QS6K1TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IRF7507TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.4A，1.7A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：MICRO8™
料号：JTG10-301
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7507TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7507TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7507TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7507TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5999EDU-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：10.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® CHIPFET™ 双
封装：POWERPAK® CHIPFET 双
料号：JTG10-302
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5999EDU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5999EDU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5999EDU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5999EDU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SSM6N57NU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-µDFN（2X2）
料号：JTG10-303
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N57NU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N57NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N57NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N57NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4936CDY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.8A
4最大功率值4：2.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-304
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4936CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4936CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4936CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4936CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SIA923AEDJ-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A
4最大功率值4：7.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-305
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA923AEDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA923AEDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA923AEDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA923AEDJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AO4622
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 20V 7.3A/5A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-306
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4622' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4622' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4622' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4622' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI3900DV-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:830mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2A
4最大功率值4：830mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-TSOP
料号：JTG10-307
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI3900DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3900DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3900DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI3900DV-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRF7509TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:830mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.7A，2A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：MICRO8™
料号：JTG10-308
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7509TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7509TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7509TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7509TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AO4803A
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:830mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-309
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4803A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4803A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4803A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4803A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRF7105TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:830mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A，2.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-310
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7105TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7105TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7105TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7105TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SQJ504EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 340mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:66pF @ 25V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:285pF @ 10V *4最大功率值*4:3.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 6V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:945pF @ 20V *4最大功率值*4:1.42W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 6V *4最大功率值*4:600mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:238 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:77pF @ 10V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A，1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:496pF @ 10V *4最大功率值*4:10.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 15V *4最大功率值*4:2.3W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:54 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V *4最大功率值*4:7.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:830mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.7A，2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A，2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 8A，10V，17 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V，85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 25V，4600pF @ 25V *4最大功率值*4:34W（Tc） *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：34W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：PowerPAK® SO-8 双
封装：PowerPAK® SO-8 双
料号：JTG10-3645
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQJ504EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ504EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ504EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ504EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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