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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： TSM2537CQ RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：11.6A（Tc），9A（Tc）
4最大功率值4：6.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-TDFN（2X2）
料号：JTG10-3098
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TSM500P02DCQ RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.7A（Tc）
4最大功率值4：620mW
6工作温度6：-50°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-TDFN（2X2）
料号：JTG10-3099
包装： 3000个/
￥1.85 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM500P02DCQ RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM500P02DCQ RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TSM250N02DCQ RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.8A（Tc）
4最大功率值4：620mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-TDFN（2X2）
料号：JTG10-3100
包装： 3000个/
￥1.92 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TSM250N02DCQ RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM250N02DCQ RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM250N02DCQ RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM250N02DCQ RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIA928DJ-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Tc）
4最大功率值4：7.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-3101
包装： 3000个/
￥1.50 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIA928DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA928DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA928DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIA928DJ-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TSM3911DCX6 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 P-CH 20V 2.2A SOT26
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.2A（Ta）
4最大功率值4：1.15W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG10-3102
包装： 3000个/
￥2.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TSM3911DCX6 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM3911DCX6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM3911DCX6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM3911DCX6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TSM9926DCS RLG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 6A 8SOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Tc）
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3103
包装： 5000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5922DU-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Tc）
4最大功率值4：10.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® CHIPFET™ 双
封装：POWERPAK® CHIPFET 双
料号：JTG10-3104
包装： 3000个/
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5922DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5922DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5922DU-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQ3989EV-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A（Tc）
4最大功率值4：1.67W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-TSOP
料号：JTG10-3105
包装： 3000个/
￥1.99 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQ3989EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ3989EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ3989EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ3989EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TT8J3TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A
4最大功率值4：1.25W
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型号： TSM6866SDCA RVG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta）
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-3107
包装： 300000个/
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合作现货:0
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最小起订:
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总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： QS8K11TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH NCH MOSFET
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
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4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：TSMT8
料号：JTG10-3108
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： TSM8568CS RLG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：15A（Tc），13A（Tc）
4最大功率值4：6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3109
包装： 2500个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TSM8568CS RLG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TSM6968DCA RVG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A（Tc）
4最大功率值4：1.04W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-3110
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TSM6968DCA RVG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： UT6J3TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： -20V PCH+PCH POWER MOSFET
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-POWERUDFN
封装：HUML2020L8
料号：JTG10-3111
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状态： 在售
型号： UT6K3TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-POWERUDFN
封装：HUML2020L8
料号：JTG10-3112
包装： 3000个/
￥2.62 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5948DU-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:82 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Tc）
4最大功率值4：7W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® CHIPFET™ 双
封装：POWERPAK® CHIPFET 双
料号：JTG10-3113
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： TSM9933DCS RLG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 8SOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:82 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.7A（Tc）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3114
包装：
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海外现货:0
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型号： TSM6968SDCA RVG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 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250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:82 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A（Ta）
4最大功率值4：1.04W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-3115
包装： 150000个/
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合作现货:0
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型号： TSM4936DCS RLG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 5.9A 8SOP
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 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250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:82 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.9A（Ta）
4最大功率值4：3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3116
包装： 2500个/
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状态： 在售
型号： AO4818
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc），9A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:677pF @ 10V，744pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1230pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:775pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:490pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:140 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15.23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:882.51pF @ 6V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:562pF @ 8V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19.2 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:765pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:155 毫欧 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:600mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:565pF @ 8V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），13A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:646pF @ 15V，1089pF @ 15V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:450pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:82 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:165pF @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3998
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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