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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： EPC2108
品牌： EPC EPC
描述： GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V
1Fet类型1：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：60V，100V
3电流-连续漏极(id)3：1.7A，500mA
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：9-VFBGA
封装：9-BGA (1.35X1.35)
料号：JTG10-3135
包装： 2500个/
￥7.12 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2107
品牌： EPC EPC
描述： GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V
1Fet类型1：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：1.7A，500mA
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：9-VFBGA
封装：9-BGA (1.35X1.35)
料号：JTG10-3136
包装： 2500个/
￥8.21 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQJQ960EL-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：63A（Tc）
4最大功率值4：71W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 8 X 8 双
封装：POWERPAK® 8 X 8 双
料号：JTG10-3137
包装： 2000个/
￥9.61 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJQ960EL-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2111ENGRT
品牌： EPC EPC
描述： TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：16A（Ta）
4最大功率值4：
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3138
包装： 带卷（TR）
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EPC2111ENGRT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'EPC' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2111ENGRT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2111ENGRT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2111ENGRT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2100
品牌： EPC EPC
描述： GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10A（Ta），40A（Ta）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3139
包装： 500个/
￥48.90 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EPC2100' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'EPC' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EPC2100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2101ENGRT
品牌： EPC EPC
描述： GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：9.5A，38A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3140
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DF23MR12W1M1B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MODULE 1200V 25A
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅 （SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：25A
4最大功率值4：20mW
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3141
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF23MR12W1M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DF11MR12W1M1B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MODULE 1200V 50A
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：50A
4最大功率值4：20mW
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF11MR12W1M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF11MR12W1M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NX138AKSX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：170mA（Ta）
4最大功率值4：325mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-3143
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： TSM200N03DPQ33 RGG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Tc）
4最大功率值4：20W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-PDFN（3X3）
料号：JTG10-3144
包装： 5000个/
￥2.04 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMDXB950UPELZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：500mA
4最大功率值4：380mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG10-3145
包装： 5000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SSM6N37FU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：250mA（Ta）
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG10-3146
包装： 3000个/
￥0.65 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMDXB600UNELZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:21.3pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：600mA
4最大功率值4：380mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG10-3147
包装： 5000个/
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状态： 在售
型号： AO4630
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:21.3pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A，7A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3148
包装： 3000个/
￥1.77 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCQ03N06-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:21.3pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 15V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:247pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：1.7W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3534
包装： 56000个/
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状态： 在售
型号： FDG6332C-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:21.3pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 15V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:247pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：700mA，600mA
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-3149
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQ1912EH-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:21.3pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 15V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:247pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：800mA（Tc）
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-3150
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： QH8KA1TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 30V NCH NCH POWER MOSFET
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds 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系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 15V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:247pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V
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状态： 在售
型号： DMP2065UFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6
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制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 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系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 15V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:247pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta）
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外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3152
包装： 3000个/
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： PMCXB1000UEZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
参数： 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V，7pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V，7pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:63A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1950pF @ 25V 系列: 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.9nC @ 15V，19nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 15V，1960pF @ 15V 系列:* 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A， 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:620nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 800V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.5V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:125nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3950pF @ 800V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:21.3pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 15V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:247pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，600mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:73 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:590mA（Ta），410mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:670 毫欧 @ 590mA，4.5V，1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：590mA（Ta），410mA（Ta）
4最大功率值4：285mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：DFN1010B-6
料号：JTG10-3153
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMCXB1000UEZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMCXB1000UEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMCXB1000UEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMCXB1000UEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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