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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SP8K31FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C
外壳：
封装：
料号：JTG10-3213
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8K31FRATB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K31FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K31FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K31FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SP8M6FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A（Ta），3.5A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C
外壳：
封装：
料号：JTG10-3214
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8M6FRATB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M6FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M6FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M6FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SQJB70EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：11.3A（Tc）
4最大功率值4：27W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3215
包装： 3000个/
￥3.74 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQJB70EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB70EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB70EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB70EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZ322DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：16.7W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-POWER33（3X3）
料号：JTG10-3216
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZ322DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ322DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ322DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ322DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQJB68EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：11A（Tc）
4最大功率值4：27W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3217
包装： 3000个/
￥3.83 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQJB68EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB68EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB68EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB68EP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZ320DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 25V 8-POWER33
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：30A (Tc)，40A (Tc)
4最大功率值4：16.7W，31W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-POWER33（3X3）
料号：JTG10-3218
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ320DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SI4946CDY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：5.2A（Ta），6.1A（Tc）
4最大功率值4：2W（Ta），2.8W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3219
包装： 2500个/
￥3.42 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SP8K52FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：3A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：
封装：
料号：JTG10-3220
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8K52FRATB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K52FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K52FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K52FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SP8K33FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：5A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C
外壳：
封装：
料号：JTG10-3221
包装：
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合作现货:0
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型号： SH8KA2GZETB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：2.8W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3222
包装： 2500个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STS5DP3LLH6
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5A（Ta）
4最大功率值4：2.7W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3223
包装：
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合作现货:0
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型号： BUK7K23-80EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1542pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：17A（Ta）
4最大功率值4：53W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
封装：LFPAK56D
料号：JTG10-3224
包装： 1500个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9K30-80EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1542pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2297pF @ 25V
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5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：17A（Ta）
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
封装：LFPAK56D
料号：JTG10-3225
包装： 1500个/
￥4.86 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9K30-80EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SQJ262EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1542pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2297pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35.5 毫欧 @ 2A，10V，15.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V，23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 25V，1260pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：15A（Tc），40A（Tc）
4最大功率值4：27W（Tc），48W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 双通道不对称
料号：JTG10-3226
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SQJ912BEP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1542pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2297pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35.5 毫欧 @ 2A，10V，15.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V，23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 25V，1260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：48W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3227
包装： 3000个/
￥5.34 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HP8K22TB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1542pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2297pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35.5 毫欧 @ 2A，10V，15.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V，23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 25V，1260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A，57A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：27A，57A
4最大功率值4：25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-HSOP
料号：JTG10-3228
包装： 2500个/
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状态： 在售
型号： SQJ260EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 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不同 vds 时的输入电容（ciss）:2297pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35.5 毫欧 @ 2A，10V，15.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V，23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 25V，1260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A，57A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc），54A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 6A，10V，8.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V，40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 25V，2500pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Tc），54A（Tc）
4最大功率值4：27W（Tc），48W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 双通道不对称
料号：JTG10-3229
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： SP8K24FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 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AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc），54A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 6A，10V，8.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V，40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 25V，2500pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：45V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C
外壳：
封装：
料号：JTG10-3230
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K24FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BUK7K17-80EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1542pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.5nC @ 5V 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AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc），54A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 6A，10V，8.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V，40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 25V，2500pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21A（Ta） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4V @ 1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4V @ 1mA
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状态： 在售
型号： BUK9K22-80EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:51 毫欧 @ 5A，10V，90 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 10V，490pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:220pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.35 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:92 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 25V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30A (Tc)，40A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.3 毫欧 @ 8A，10V，4.24 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.9nC @ 4.5V，11.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 12.5V，1370pF @ 12.5V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta），6.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40.9 毫欧 @ 5.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:330pF @ 15V 系列:DeepGATE™, STripFET™ H6 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:639pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1542pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2297pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35.5 毫欧 @ 2A，10V，15.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V，23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 25V，1260pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 25V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A，57A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1080pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc），54A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 6A，10V，8.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V，40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 25V，2500pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21A（Ta） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4V @ 1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4V @ 1mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3115pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：21A（Ta）
4最大功率值4：64W
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料号：JTG10-3232
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合作现货:0
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