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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SIZ926DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Tc），60A（Tc）
4最大功率值4：20.2W，40W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-POWERPAIR®
料号：JTG10-3233
包装： 3000个/
￥5.02 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ926DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ926DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ926DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C680NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7.5A（Ta），26A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），19W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3234
包装： 1500个/
￥6.99 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C680NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C680NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C680NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SQJ500AEP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：48W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3235
包装： 3000个/
￥5.61 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQJ500AEP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ500AEP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ500AEP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ500AEP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SP8M21FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：45V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta），4A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C
外壳：
封装：
料号：JTG10-3236
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8M21FRATB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M21FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M21FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M21FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： BUK7K15-80EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：23A（Ta）
4最大功率值4：68W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
封装：LFPAK56D
料号：JTG10-3237
包装： 1500个/
￥5.54 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK7K15-80EX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK7K15-80EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK7K15-80EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK7K15-80EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIRB40DP-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Tc）
4最大功率值4：46.2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3238
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C462NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：18A（Ta），84A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），50W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3239
包装： 1500个/
￥11.82 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C462NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9K20-80EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：23A（Ta）
4最大功率值4：68W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
封装：LFPAK56D
料号：JTG10-3240
包装： 1500个/
￥6.85 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK9K20-80EX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9K20-80EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9K20-80EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9K20-80EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 热销
型号： NVMFD5C466NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3243
包装： 1500个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： NVMFD5C672NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
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4最大功率值4：3.1W（Ta），45W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3244
包装： 1500个/
￥9.57 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C672NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C672NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C672NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SP8K32FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：
封装：
料号：JTG10-3245
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8K32FRATB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K32FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K32FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8K32FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
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2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：14A（Ta），52A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），40W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3246
包装： 1500个/
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型号： NVMFD5C462NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V
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5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：18A（Ta），84A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），50W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3247
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2~5天可到达
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状态： 热销
型号： NVMFD5C674NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：11A（Ta），42A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），37W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3248
包装： 1500个/
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状态： 在售
型号： SP8M24FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 5V，18.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 10V，1700pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：45V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta），3.5A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：
封装：
料号：JTG10-3249
包装：
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状态： 在售
型号： SP8M5FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 5V，18.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 10V，1700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，2600pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta），7A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：
封装：
料号：JTG10-3250
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M5FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SP8K22FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 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时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 5V，18.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 10V，1700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 5V 不同 vds 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4最大功率值4：2W
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外壳：
封装：
料号：JTG10-3251
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型号： SP8M51FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 10V，41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:925pF @ 10V，2150pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1850pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.6nC @ 5V，28nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1400pF @ 10V，2400pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:35.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2457pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3462pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:793pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 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时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V，63 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 5V，18.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 10V，1700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:520pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:45V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta），2.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V，290 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V，12.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 10V，1550pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：3A（Ta），2.5A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：
封装：
料号：JTG10-3252
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8M51FRATB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M51FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M51FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M51FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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