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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SI7540ADP-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH POWERPAK8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：12A，9A
4最大功率值4：3.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3253
包装： 3000个/
￥6.94 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C446NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：25A（Ta），145A（Tc）
4最大功率值4：3.5W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
料号：JTG10-3254
包装： 1500个/
￥20.35 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SQJQ906E-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：95A（Tc）
4最大功率值4：50W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 8 X 8 双
封装：POWERPAK® 8 X 8 双
料号：JTG10-3255
包装： 2000个/
￥10.86 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJQ906E-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJQ906E-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJQ906E-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQJQ980EL-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：36A（Tc）
4最大功率值4：187W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 8 X 8 双
封装：POWERPAK® 8 X 8 双
料号：JTG10-3256
包装： 2000个/
￥10.43 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQJQ980EL-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJQ980EL-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJQ980EL-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJQ980EL-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SP8M4FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：9A（Ta），7A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：
封装：
料号：JTG10-3257
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8M4FRATB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M4FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M4FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8M4FRATB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C650NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C446NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 40V 145A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V
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外壳：8-POWERTDFN
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料号：JTG10-3259
包装： 1500个/
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQJQ906EL-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：160A（Tc）
4最大功率值4：187W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 8 X 8 双
封装：POWERPAK® 8 X 8 双
料号：JTG10-3260
包装： 2000个/
￥12.02 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C650NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V
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外壳：8-POWERTDFN
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料号：JTG10-3261
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： CSD88584Q5DCT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 40V 22-VSON-CLIP
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包装： 250个/
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品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
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合作现货:0
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型号： NX138AKSF
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：170mA（Ta）
4最大功率值4：1.33W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3264
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138AKSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138AKSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138AKSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NX138BKSF
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 330MA SOT363
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3265
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NX138BKSF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138BKSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138BKSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138BKSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SSM6N35AFE,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：250mA（Ta）
4最大功率值4：250mW
6工作温度6：150°C
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：ES6
料号：JTG10-3266
包装： 4000个/
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状态： 在售
型号： DMC2990UDJQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：450mA（Ta），310mA（Ta）
4最大功率值4：350mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG10-3267
包装： 10000个/
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合作现货:0
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最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC2990UDJQ-7B
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：450mA（Ta），310mA（Ta）
4最大功率值4：350mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG10-3268
包装： 10000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SSM6N48FU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： X34 PB-F SOT-363 S-MOS (LF) TRAN
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15.1pF @ 3V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：100mA（Ta）
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG10-3269
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BSD340NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： SMALL SIGNAL+P-CH
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 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制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15.1pF @ 3V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG10-3270
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： SSM6N35AFU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15.1pF @ 3V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：250mA（Ta）
4最大功率值4：285mW（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG10-3271
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： NTND31225CZTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET DUAL 20V XLLGA6
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:48nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1310pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3600pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13.5 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:36nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1995pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 9A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V，25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1190pF @ 10V，2600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:160A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3238pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 170mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 欧姆 @ 200mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta），310mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15.1pF @ 3V 系列:* 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V 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1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：220mA（Ta），127mA（Ta）
4最大功率值4：125mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-XFLGA
封装：6-XLLGA（.90X.65）
料号：JTG10-3272
包装： 8000个/
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTND31225CZTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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