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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DMC21D1UDA-7B
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：455mA (Ta)，328mA (Ta)
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：X2-DFN0806-6
料号：JTG10-3273
包装： 10000个/
￥0.99 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMN21D1UDA-7B
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：455mA（Ta）
4最大功率值4：310mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：X2-DFN0806-6
料号：JTG10-3274
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMP22D4UDA-7B
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 P-CH 20V X2DFN0806-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：328mA（Ta）
4最大功率值4：310mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：X2-DFN0806-6
料号：JTG10-3275
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMP22D4UDA-7B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP22D4UDA-7B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP22D4UDA-7B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP22D4UDA-7B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： SI1539DDL-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：700mA (Tc)，460mA (Tc)
4最大功率值4：340mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-3276
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1539DDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1539DDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1539DDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1539DDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DMC2038LVTQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.7A（Ta），2.6A（Ta）
4最大功率值4：800mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3277
包装： 3000个/
￥1.28 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2038LVTQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2038LVTQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2038LVTQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2038LVTQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMP2075UFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET P-CH 20V 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.8A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3278
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SI1036X-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：610mA（Ta）
4最大功率值4：220mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SC-89-6
料号：JTG10-3279
包装： 3000个/
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1036X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1036X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DMC2700UDMQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.34A（Ta），1.14A（Ta）
4最大功率值4：1.12W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：JTG10-3280
包装： 3000个/
￥1.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2700UDMQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2700UDMQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2700UDMQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2700UDMQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN2990UDJQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：450mA（Ta）
4最大功率值4：27.6pF @ 16V
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG10-3281
包装： 10000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMN3055LFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：5A（Ta）
4最大功率值4：458pF @ 15V
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3282
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3055LFDB-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3055LFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3055LFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3055LFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PMGD175XNEAX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 900MA SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：900mA（Ta）
4最大功率值4：390mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3283
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMGD175XNEAX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD175XNEAX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD175XNEAX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMGD175XNEAX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMN63D1LV-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：550mA（Ta）
4最大功率值4：940mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3284
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN63D1LV-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D1LV-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D1LV-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D1LV-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4862E
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 4.5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:215pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta）
4最大功率值4：1.7W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3285
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4862E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4862E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4862E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： BSC072N04LDATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRENCH <= 40V
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:215pF @ 15V 系列:OptiMOS™-T2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:52nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Tc）
4最大功率值4：65W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PG-TDSON-8-4
料号：JTG10-3652
包装： 5000个/
￥4.28 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC3C001NUZTCG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:215pF @ 15V 系列:OptiMOS™-T2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:52nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：4-XFBGA，WLCSP
封装：4-WLCSP（1.26X1.26）
料号：JTG10-3286
包装：
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合作现货:0
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型号： DMC1030UFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:215pF @ 15V 系列:OptiMOS™-T2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:52nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：5.1A（Ta），3.9A（Ta）
4最大功率值4：1.36W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3287
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1030UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMP2075UFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET P-CH 20V 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:215pF @ 15V 系列:OptiMOS™-T2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:52nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.8A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3288
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SSM6N39TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:215pF @ 15V 系列:OptiMOS™-T2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:52nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 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封装：UF6
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品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
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制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds 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4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:119 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1A，10V，940 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V，1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:48pF @ 15V，50pF @ 15V
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型号： SQ1563AEH-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA (Ta)，328mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V，28.5pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:455mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.41nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:328mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA (Tc)，460mA (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:388 毫欧 @ 600mA，10V，1.07 欧姆 @ 400mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.1nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28pF @ 15V，21pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta），2.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4A，4.5V，74 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 4.5V，10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:530pF @ 10V，705pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:610mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.34A（Ta），1.14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V，0.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:450mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:990 毫欧 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27.6pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:252 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:81pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:215pF @ 15V 系列:OptiMOS™-T2 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:52nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3990pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:642pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:119 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1A，10V，940 毫欧 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V，1.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:48pF @ 15V，50pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 850mA，4.5V，575 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V，1.33nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:89pF @ 10V，84pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：850mA（Tc）
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-3291
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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