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元器件型号：5430 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NTHD3102CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A，3.1A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：CHIPFET™
料号：JTG10-311
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTHD3102CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD3102CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD3102CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD3102CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： IRF7103TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-312
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7103TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7103TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7103TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7103TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MTM78E2B0LBF
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：W迷你型8-F1
料号：JTG10-313
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTM78E2B0LBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTM78E2B0LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTM78E2B0LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTM78E2B0LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AO4818B
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-314
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4818B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： IRF7501TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.4A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：MICRO8™
料号：JTG10-315
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7501TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7501TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7501TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7501TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI4532CDY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A，4.3A
4最大功率值4：2.78W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-316
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4532CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4532CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4532CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4532CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FDS8984
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-317
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS8984' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8984' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8984' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8984' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AOC3860A
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N-CHANNEL 6DFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：25A（Ta）
4最大功率值4：2.5W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-AlphaDFN（3.05x1.77）
料号：JTG10-3773
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOC3860A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3860A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3860A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3860A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMG6898LSD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：9.5A
4最大功率值4：1.28W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-318
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG6898LSD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6898LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6898LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6898LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SSM6P49NU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（2X2）
料号：JTG10-319
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6P49NU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6P49NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6P49NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6P49NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMDPB58UPE,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.6A
4最大功率值4：515mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-HUSON（2X2）
料号：JTG10-320
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMDPB58UPE,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB58UPE,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB58UPE,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB58UPE,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PMDPB70XPE,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：515mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN2020（2X2）
料号：JTG10-321
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMDPB70XPE,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB70XPE,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB70XPE,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB70XPE,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMP2066LSD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.8A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-322
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMP2066LSD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2066LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2066LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2066LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDS8958B
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.4A，4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6.4A，4.5A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-323
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS8958B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8958B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8958B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS8958B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PMDPB30XN,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.4A，4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：490mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-HUSON（2X2）
料号：JTG10-324
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMDPB30XN,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB30XN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB30XN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMDPB30XN,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4807
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.4A，4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-325
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4807' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4807' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4807' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： DMC4050SSD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.4A，4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37.56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1790.8pF @ 20V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A
4最大功率值4：1.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-326
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC4050SSD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： PMCPB5530X,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds 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Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37.56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1790.8pF @ 20V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A（Ta），3.4A（Ta）
4最大功率值4：490mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-HUSON（2X2）
料号：JTG10-327
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMCPB5530X,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMCPB5530X,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMCPB5530X,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMCPB5530X,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 爆款
型号： FDS6912A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.4A，4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37.56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1790.8pF @ 20V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-328
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6912A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6912A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： NTHD4502NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A，3.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:510pF @ 10V *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 25V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 2A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 10V *4最大功率值*4:150mW *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 15V *4最大功率值*4:1.25W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pF @ 15V *4最大功率值*4:2.78W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:635pF @ 15V *4最大功率值*4:1.6W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:2.5W（Ta） *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1149pF @ 10V *4最大功率值*4:1.28W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:480pF @ 10V *4最大功率值*4:1W *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:804pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:79 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V *4最大功率值*4:515mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.4A，4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 6.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V *4最大功率值*4:2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37.56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1790.8pF @ 20V *4最大功率值*4:1.8W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V *4最大功率值*4:490mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:575pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:140pF @ 15V *4最大功率值*4:640mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.2A
4最大功率值4：640mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：CHIPFET™
料号：JTG10-329
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTHD4502NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD4502NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD4502NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTHD4502NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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