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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SSM6L12TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：500mA（Ta）
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：150°C
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：UF6
料号：JTG10-3292
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMN3055LFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：5A（Ta）
4最大功率值4：458pF @ 15V
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3293
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMN63D1LV-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：550mA（Ta）
4最大功率值4：940mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3294
包装： 3000个/
￥0.76 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D1LV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D1LV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN63D1LV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN3035LWN-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：5.5A（Ta）
4最大功率值4：399pF @ 15V
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：V-DFN3020-8
料号：JTG10-3295
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3035LWN-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMP2065UFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 P-CH 4.5A UDFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta）
4最大功率值4：752pF @ 15V
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3296
包装： 10000个/
￥1.47 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMP2065UFDB-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2065UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2065UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2065UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC1030UFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：5.1A（Ta），3.9A（Ta）
4最大功率值4：1.36W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3297
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQ1912AEEH-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：800mA（Tc）
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-3298
包装： 3000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ1912AEEH-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC2J004NUZTDG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET NCH 12V WLCSP6 DUAL
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：
封装：
料号：JTG10-3299
包装： 5000个/
￥1.60 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EFC2J004NUZTDG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC2J004NUZTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC2J004NUZTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC2J004NUZTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN3016LDN-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V
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型号： SQ1902AEL-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
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4最大功率值4：430mW
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SC-70-6 双
封装：POWERPAK® SC-70-6 双
料号：JTG10-3301
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BSL806NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A（Ta）
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：PG-TSOP6-6
料号：JTG10-3302
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSL806NH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AON3820
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 24V 8A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：24V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-DFN（3X3）
料号：JTG10-3303
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON3820' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON3820' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON3820' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON3820' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： EFC2J013NUZTDG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：1.8W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-WLCSP（2X1.49）
料号：JTG10-3304
包装： 5000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMT6018LDR-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8.8A（Ta）
4最大功率值4：1.9W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：V-DFN3030-8
料号：JTG10-3305
包装： 10000个/
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状态： 在售
型号： DMP3048LSD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 4.8A 8SO
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1438pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.8A（Ta）
4最大功率值4：1.7W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3306
包装：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC3025LNS-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1438pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.2A（Ta），6.8A（Ta）
4最大功率值4：1.2W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERDI3333-8
料号：JTG10-3307
包装：
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合作现货:0
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型号： DMC3025LNS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V 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制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1438pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.2A（Ta），6.8A（Ta）
4最大功率值4：1.2W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERDI3333-8
料号：JTG10-3308
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC3025LNS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： AOC2804B
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 4DFN
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1438pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：4-XDFN
封装：4-DFN (1.5X1.5)
料号：JTG10-3309
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOC2804B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC2804B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC2804B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC2804B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SI1900DL-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1438pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA (Ta)，590mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：630mA (Ta)，590mA (Ta)
4最大功率值4：300mW，270mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-3310
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： NTLUD4C26NTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V，260 毫欧 @ 250mA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V，218pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:458pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.392nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:752pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A（Ta），3.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V，59 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 4.5V，13nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V，1028pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:280 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1415pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:780mA（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:415 毫欧 @ 660mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:75pF @ 10V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:57 毫欧 @ 2.3A，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 11µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.7nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:259pF @ 10V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.9 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1325pF @ 12V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 8.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:869pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1438pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.2A（Ta），6.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA (Ta)，590mA (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:480 毫欧 @ 590mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:µCool™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:460pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：9.1A（Ta）
4最大功率值4：2.63W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（2X2）
料号：JTG10-3311
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD4C26NTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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