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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SQ4949EY-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.5A（Tc）
4最大功率值4：3.3W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3371
包装： 2500个/
￥6.28 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQ4949EY-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4949EY-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4949EY-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4949EY-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMN3012LFG-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Tc）
4最大功率值4：2.2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERLDFN
封装：POWERDI3333-8
料号：JTG10-3372
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3012LFG-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LFG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LFG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LFG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FDPC3D5N025X9D
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2 N-CH 25V 74A 12-PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：74A
4最大功率值4：26W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：12-POWERWQFN
封装：12-PQFN（3.3X3.3）
料号：JTG10-3373
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDPC3D5N025X9D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDPC3D5N025X9D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDPC3D5N025X9D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDPC3D5N025X9D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMHT6016LFJ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：14.8A（Ta）
4最大功率值4：864pF @ 30V
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：12-VDFN 裸露焊盘
封装：V-DFN5045-12
料号：JTG10-3374
包装： 3000个/
￥7.09 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMHT6016LFJ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMHT6016LFJ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMHT6016LFJ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMHT6016LFJ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDWS9420-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2 N-CH 40V 20A 8-PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Tc）
4最大功率值4：75W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-PQFN（5X6）
料号：JTG10-3375
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDWS9420-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDWS9420-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDWS9420-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDWS9420-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： AOE6922
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET ASYMMETRIC 2N-CH 30V DFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：
封装：
料号：JTG10-3376
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOE6922' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOE6922' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOE6922' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOE6922' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： HUFA76413DK8T-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：5.1A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3377
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HUFA76413DK8T-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HUFA76413DK8T-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HUFA76413DK8T-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HUFA76413DK8T-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： DMN3012LFG-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Tc）
4最大功率值4：2.2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERLDFN
封装：POWERDI3333-8
料号：JTG10-3378
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3012LFG-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LFG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LFG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LFG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC4C002NLTDG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 8WLCSP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2.6W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-XFBGA，WLCSP
封装：8-WLCSP（6X2.5）
料号：JTG10-3379
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EFC4C002NLTDG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC4C002NLTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC4C002NLTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC4C002NLTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CSD87313DMS
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：4290pF @ 15V
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-WSON（3.3X3.3）
料号：JTG10-3380
包装： 2500个/
￥6.39 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD87313DMS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD87313DMS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD87313DMS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD87313DMS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AOE6930
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：22A (Tc)，85A (Tc)
4最大功率值4：24W，75W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-3381
包装： 3000个/
￥8.69 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOE6930' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOE6930' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOE6930' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOE6930' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： AUIRFN8458TR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：43A（Tc）
4最大功率值4：34W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：PQFN（5X6）
料号：JTG10-3382
包装： 4000个/
￥10.61 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRFN8458TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRFN8458TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRFN8458TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRFN8458TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FDMD8680
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：66A（Tc）
4最大功率值4：39W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-PQFN（5X6）
料号：JTG10-3383
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMD8680' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8680' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8680' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8680' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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型号： SI7946ADP-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:186 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 7.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 75V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：150V
3电流-连续漏极(id)3：7.7A（Tc）
4最大功率值4：19.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-3384
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7946ADP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7946ADP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7946ADP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7946ADP-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SQ3585EV-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:186 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 7.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.57A (Tc)，2.5A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 1A，4.5V，166 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V，3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.57A (Tc)，2.5A (Tc)
4最大功率值4：1.67W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-TSOP
料号：JTG10-3385
包装： 3000个/
￥17.18 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQ3585EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ3585EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ3585EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ3585EV-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CSD88584Q5DC
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:186 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 7.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.57A (Tc)，2.5A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 1A，4.5V，166 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V，3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：12W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：22-POWERTFDFN
封装：22-VSON-CLIP (5X6)
料号：JTG10-3386
包装： 2500个/
￥18.81 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD88584Q5DC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD88584Q5DC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD88584Q5DC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD88584Q5DC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CSD88599Q5DC
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:186 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 7.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.57A (Tc)，2.5A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 1A，4.5V，166 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V，3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：12W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：22-POWERTFDFN
封装：22-VSON-CLIP (5X6)
料号：JTG10-3387
包装： 2500个/
￥20.83 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD88599Q5DC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD88599Q5DC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD88599Q5DC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD88599Q5DC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTC60DDAM70T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:186 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 7.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.57A (Tc)，2.5A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 1A，4.5V，166 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V，3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：39A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3388
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60DDAM70T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60DDAM45T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:186 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 7.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.57A (Tc)，2.5A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 1A，4.5V，166 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V，3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：49A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3389
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60DDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTC60VDAM45T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:74A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.01 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3340pF @ 13V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:14.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2100pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:45nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6200pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:22A (Tc)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.3 毫欧 @ 20A，10V，0.83 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V，65nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1075pF @ 15V，5560pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:43A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:66A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:73nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5330pF @ 40V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:150V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:186 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 7.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:230pF @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.57A (Tc)，2.5A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:77 毫欧 @ 1A，4.5V，166 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V，3.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12400pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.1 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4840pF @ 30V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：49A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3390
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60VDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60VDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60VDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60VDAM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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