首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTM100H46FT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：19A
4最大功率值4：357W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3391
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100H46FT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H46FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H46FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H46FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60HM70BT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：39A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3392
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM70BT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60DHM24T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3393
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60DHM24T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DHM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DHM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DHM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60DDAM24T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3394
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60DDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60VDAM24T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3395
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60VDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60VDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60VDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60VDAM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC90AM60T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：59A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3396
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90AM60T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM60T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60HM24T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3397
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM24T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60HM45SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：49A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-3398
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM45SCTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM45SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM45SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM45SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60AM24SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-3399
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60AM24SCTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM24SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM24SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM24SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC120HR11CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC MOSFET
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：26A（Tc）
4最大功率值4：125W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3
料号：JTG10-3400
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120HR11CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HR11CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HR11CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HR11CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC90AM60SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：59A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-3401
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90AM60SCTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM60SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM60SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM60SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC90H12SCTG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：30A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-3402
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90H12SCTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90H12SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90H12SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90H12SCTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTML602U12R020T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：45A
4最大功率值4：568W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3403
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTML602U12R020T3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML602U12R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML602U12R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML602U12R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC120HRM40CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC MOSFET
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:73A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：73A（Tc）
4最大功率值4：375W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3
料号：JTG10-3404
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120HRM40CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HRM40CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HRM40CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HRM40CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60TAM21SCTPAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:73A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:116A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 88A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:580nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 100V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：116A
4最大功率值4：625W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6-P
料号：JTG10-3405
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60TAM21SCTPAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60TAM21SCTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60TAM21SCTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60TAM21SCTPAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM100TA35SCTPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:73A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:116A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 88A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:580nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：22A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6-P
料号：JTG10-3406
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100TA35SCTPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100TA35SCTPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100TA35SCTPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100TA35SCTPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC120TAM34CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC MOSFET
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:73A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:116A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 88A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:580nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：74A（Tc）
4最大功率值4：375W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3
料号：JTG10-3407
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120TAM34CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM34CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM34CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120TAM34CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC120HM17CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC MOSFET
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:73A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:116A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 88A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:580nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:332nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5576pF @ 1000V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：147A（Tc）
4最大功率值4：750W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3
料号：JTG10-3408
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120HM17CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HM17CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HM17CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120HM17CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NDS8926
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:73A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:116A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 88A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:580nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:332nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5576pF @ 1000V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.5A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：900mW
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3409
包装： 2500个/
￥7.84 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NDS8926' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS8926' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS8926' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS8926' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NDS9955
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
参数： 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:19A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:552 毫欧 @ 16A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:260nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:270nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6800pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:45A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:73A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:116A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 88A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:580nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13000pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:22A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:420 毫欧 @ 11A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:186nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5200pF @ 25V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:161nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2788pF @ 1000V 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:147A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:332nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5576pF @ 1000V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:130 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:345pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：900mW
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3410
包装： 2500个/
￥6.29 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NDS9955' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9955' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9955' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9955' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页3481-3500条    175/273页    首 页    上一页   171  172  173  174  175  176  177  178  179   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922