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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NDS9957
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：2.6A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：900mW
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3411
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NDS9957' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9957' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NDS9933
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.2A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：900mW
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3412
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NDS9933' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9933' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9933' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9933' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NDS9942
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3A，2.5A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：900mW
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3413
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NDS9942' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9942' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9942' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NDS9942' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTC60AM42F2G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：66A
4最大功率值4：416W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP2
封装：SP2
料号：JTG10-3414
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60AM42F2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM42F2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM42F2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM42F2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTC60AM83B1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：36A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3415
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60AM83B1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM83B1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM83B1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM83B1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTC60AM83BC1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：36A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3416
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60AM83BC1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM83BC1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM83BC1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60AM83BC1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTC60DSKM45T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：49A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3417
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60DSKM45T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM45T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： APTC60DSKM70T1G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：39A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-3418
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60DSKM70T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM70T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTC90AM602G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：59A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP2
封装：SP2
料号：JTG10-3419
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90AM602G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM602G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90AM602G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： APTM20DHM16T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：104A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3420
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20DHM16T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20DHM16T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20DHM16T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20DHM16T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM50DHM65T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：51A
4最大功率值4：390W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3421
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50DHM65T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DHM65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DHM65T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： APTML1002U60R020T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：520W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3422
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTML1002U60R020T3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML1002U60R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML1002U60R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML1002U60R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTML102UM09R004T3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：154A（Tc）
4最大功率值4：480W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3423
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML102UM09R004T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML102UM09R004T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:109A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9880pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：109A（Tc）
4最大功率值4：480W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3424
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML202UM18R010T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML202UM18R010T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:109A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9880pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:52A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：52A
4最大功率值4：568W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-3425
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTML502UM90R020T3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML502UM90R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML502UM90R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTML502UM90R020T3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JAN2N7334
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:109A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9880pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:52A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：MO-036AB
料号：JTG10-3426
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N7334' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： JAN2N7335
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:109A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9880pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:52A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/599 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 个 P 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：750mA
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
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料号：JTG10-3427
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JAN2N7335' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N7335' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N7335' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JAN2N7335' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： JANTX2N7334
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:109A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9880pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:52A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/599 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：MO-036AB
料号：JTG10-3428
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N7334' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： JANTX2N7335
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:109A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9880pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:52A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/599 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/599 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 个 P 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：750mA
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：MO-036AB
料号：JTG10-3429
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX2N7335' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N7335' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N7335' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX2N7335' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： JANTXV2N7334
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:160 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 3.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:870pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A，2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:525pF @ 10V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:66A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:510nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14600pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:83 毫欧 @ 24.5A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:250nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:49A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:150nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7200pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:39A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:259nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:104A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:140nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7220pF @ 25V 系列:POWER MOS 8™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:51A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:78 毫欧 @ 42A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:340nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10800pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:720 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:154A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 69.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9875pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:109A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 50A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9880pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:52A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:108 毫欧 @ 26A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7600pF @ 25V 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/599 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/599 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Military, MIL-PRF-19500/597 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 600mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：MO-036AB
料号：JTG10-3430
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTXV2N7334' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTXV2N7334' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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