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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： CEM8958
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
描述：
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1Fet类型1：NP
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：2
6工作温度6：
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：SO-8
料号：JTG10-3494
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： CEM8958A
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
描述：
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1Fet类型1：NP
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：2
6工作温度6：
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：SO-8
料号：JTG10-3495
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： CEM8958B
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
描述：
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外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：SO-8
料号：JTG10-3496
包装：
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海外现货:0
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状态： 爆款
型号： CEM8968
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
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外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：SO-8
料号：JTG10-3497
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CEM8968' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： CEU3109
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
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1Fet类型1：NP
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：10.4
6工作温度6：
外壳：
封装：TO-252-4L
料号：JTG10-3498
包装：
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CEU3159
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
描述：
参数： 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：NP
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：10.4
6工作温度6：
外壳：
封装：TO-252-4L
料号：JTG10-3499
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CEU3159' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CET/华瑞' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CEU4269
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
描述：
参数： 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：NP
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：10.4
6工作温度6：
外壳：
封装：TO-252
料号：JTG10-3500
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CEU4269' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CET/华瑞' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： CEU4279
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
描述：
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料号：JTG10-3501
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型号： CEU6659
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
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型号： CEZ3R19
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
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外壳：
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型号： CEZ3R29
品牌： CET/华瑞 CET-MOS Technology Corp 华瑞功率
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4最大功率值4：31
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外壳：
封装：PR-PACK(5*6)
料号：JTG10-3504
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型号： VEC2315-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8
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包装：
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合作现货:0
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型号： NVMFWD020N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
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5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），27A（Tc）
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3941
包装： 1500个/
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型号： AONY36354
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： 30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO
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1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：18.5A (Ta)，49A (Tc)，27A (Ta)，85A (Tc)
4最大功率值4：3.1W (Ta)，21W (Tc)，3.1W (Ta)，31.5W (Tc)
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerSMD，扁平引线
封装：8-DFN（5x6）
料号：JTG10-3626
包装： 3000个/
￥4.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFWD030N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
参数： 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:137 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A (Ta)，49A (Tc)，27A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3 毫欧 @ 20A，10V，2.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V，40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V，1890pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A（Ta），19A（Tc）
4最大功率值4：3.2W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3936
包装： 1500个/
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状态： 在售
型号： EFC2K102NUZTDG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
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1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：33A（Ta）
4最大功率值4：3.1W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：10-SMD, 无引线
封装：10-WLCSP（2.98x1.49）
料号：JTG10-3923
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： SH8K52GZETB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 100V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8K5
参数： 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列: 制造商:CET/华瑞 制造商统称:未设定 制造商统称:CET-MOS Technology Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:NP *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:137 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A (Ta)，49A (Tc)，27A (Ta)，85A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3 毫欧 @ 20A，10V，2.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V，40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V，1890pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:33A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 3.8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：3A（Ta）
4最大功率值4：1.4W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3638
包装： 2500个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： CMLDM3757 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT563
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1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：540mA，430mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3580
包装： 3000个/
￥1.68 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMLDM8005 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563
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1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：650mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3584
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： CMLDM7484 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563
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2漏源极电压(vdss)2：30V
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6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3581
包装： 3000个/
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海外现货:0
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个
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1~2周可到达
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