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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： CMLDM3737 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：540mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3579
包装： 3000个/
￥1.42 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMTH4011SPD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：11.1A（Ta），42A（Tc）
4最大功率值4：2.6W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：PowerDI5060-8
料号：JTG10-3558
包装： 2500个/
￥2.95 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMTH4011SPD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMTH4011SPD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMN2016UFX-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：24V
3电流-连续漏极(id)3：9.9A（Ta）
4最大功率值4：1.07W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：4-VFDFN 裸露焊盘
封装：V-DFN2050-4
料号：JTG10-3852
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2016UFX-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2016UFX-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2016UFX-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMN2025UFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3834
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2025UFDB-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2025UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2025UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2025UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SIZ342ADT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：15.7A（Ta），33.4A（Tc）
4最大功率值4：3.7W（Ta），16.7W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-Power33（3x3）
料号：JTG10-3559
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZ342ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ342ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ342ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ342ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMP2200UFCL-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.7A
4最大功率值4：660mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
封装：SAM D21 Curiosity Nano
料号：JTG10-3819
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMP2108UCB6-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 8V~24V U-WLB1510-6
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.25A
4最大功率值4：840mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFBGA
封装：Temperature，Vibration
料号：JTG10-3853
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC67D8UFDBQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V，20V
3电流-连续漏极(id)3：390mA（Ta），2.9A（Ta）
4最大功率值4：580mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3824
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC67D8UFDBQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC67D8UFDBQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC67D8UFDBQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC67D8UFDBQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN3270UVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：1.6A（Ta）
4最大功率值4：760mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3817
包装：
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合作现货:0
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型号： DMT3020LSDQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 8V~24V SO-8
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：16A（Tc）
4最大功率值4：1W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3557
包装： 2500个/
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMT3020LDV-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
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3电流-连续漏极(id)3：32A（Tc）
4最大功率值4：900mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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封装：PowerDI3333-8
料号：JTG10-3842
包装：
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合作现货:0
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型号： DMP2040USD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:834pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A（Ta），12A（Tc）
4最大功率值4：1.1W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3837
包装： 2500个/
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMP2040USD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2040USD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2040USD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2040USD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RJM0603JSC-00#13
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:834pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：54W
6工作温度6：175°C
外壳：20-SOIC(11.00mm宽)裸露焊盘
封装：20-HSOP
料号：JTG10-4030
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RJM0603JSC-00#13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RJM0603JSC-00#13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RJM0603JSC-00#13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RJM0603JSC-00#13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DMN2024UDH-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN3030-8
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:834pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:647pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.2A（Ta）
4最大功率值4：950mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerUDFN
封装：U-DFN3030-8
料号：JTG10-3843
包装：
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合作现货:0
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型号： SIZF916DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N-CH DUAL 30V
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:834pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:647pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 10A，10V，1.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V，95nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 15V，4320pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：23A（Ta），40A（Tc）
4最大功率值4：3.4W (Ta)，26.6W (Tc)，4W (Ta)，60W (Tc)
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PowerPair®（6x5）
料号：JTG10-3572
包装： 3000个/
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： SISF00DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:834pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:647pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 10A，10V，1.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V，95nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 15V，4320pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：60A（Tc）
4最大功率值4：69.4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：PowerPAK® 1212-8SCD
封装：PowerPAK® 1212-8SCD
料号：JTG10-3571
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状态： 在售
型号： SISF04DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 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制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Ta），108A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Ta），108A（Tc）
4最大功率值4：5.2W（Ta），69.4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：PowerPAK® 1212-8SCD
封装：PowerPAK® 1212-8SCD
料号：JTG10-3570
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： SIZ240DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 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制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Ta），108A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:17.2A（Ta），48A（Tc），16.9A（Ta），47A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.05 毫欧 @ 10A，10V，8.41 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF，1070pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：17.2A（Ta），48A（Tc），16.9A（Ta），47A（Tc）
4最大功率值4：4.3W（Ta），33W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PowerPair®（3.3x3.3）
料号：JTG10-3569
包装： 3000个/
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海外现货:0
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZF300DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9-PowerTFQFN 模块 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 毫欧 @ 650mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 40µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.07nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:161pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:834pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 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制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Ta），108A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:17.2A（Ta），48A（Tc），16.9A（Ta），47A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.05 毫欧 @ 10A，10V，8.41 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF，1070pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），75A（Tc），34A（Ta），141A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.84 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V，3150pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：23A（Ta），75A（Tc），34A（Ta），141A（Tc）
4最大功率值4：3.8W（Ta），48W（Tc），4.3W（Ta），74W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PowerPair®（6x5）
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状态： 在售
型号： SQJ244EP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
参数： 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15.7A（Ta），33.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:580pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:184pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:55 毫欧 @ 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@ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta），12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 8.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:834pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:647pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 10A，10V，1.25 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V，95nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1060pF @ 15V，4320pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2700pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Ta），108A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:60nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:17.2A（Ta），48A（Tc），16.9A（Ta），47A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.05 毫欧 @ 10A，10V，8.41 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF，1070pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），75A（Tc），34A（Ta），141A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.84 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 10V，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V，3150pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:20A (Tc)，60A (Tc) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 4A，10V，4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V，45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V，2800pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：20A (Tc)，60A (Tc)
4最大功率值4：27W（Tc），48W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：PowerPAK® SO-8 双
封装：PowerPAK® SO-8 双通道不对称
料号：JTG10-3567
包装： 3000个/
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