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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SIZ260DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）
4最大功率值4：4.3W（Ta），33W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PowerPair®（3.3x3.3）
料号：JTG10-3566
包装： 3000个/
￥4.56 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZ348DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：18A（Ta），30A（Tc）
4最大功率值4：3.7W（Ta），16.7W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-Power33（3x3）
料号：JTG10-3565
包装： 3000个/
￥4.37 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ348DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ348DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ348DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SIZ350DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：18.5A（Ta），30A（Tc）
4最大功率值4：3.7W（Ta），16.7W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-Power33（3x3）
料号：JTG10-3564
包装： 3000个/
￥4.32 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZ350DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ350DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ350DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ350DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMTH4011SPDQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：11.1A（Ta），42A（Tc）
4最大功率值4：2.6W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：PowerDI5060-8
料号：JTG10-3563
包装： 2500个/
￥4.09 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMTH4011SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMTH4011SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMTH4011SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMTH4011SPDQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIS903DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Tc）
4最大功率值4：2.6W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：PowerPAK® 1212-8 双
封装：PowerPAK® 1212-8 双
料号：JTG10-3562
包装： 3000个/
￥3.83 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIS903DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIS903DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIS903DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIS903DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI7223DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Tc）
4最大功率值4：2.6W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：PowerPAK® 1212-8 双
封装：PowerPAK® 1212-8 双
料号：JTG10-3561
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZ328DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc）
4最大功率值4：2.9W（Ta），15W（Tc），3.6W（Ta），16.2W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-Power33（3x3）
料号：JTG10-3560
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ328DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ328DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ328DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC62D0SVQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V，50V
3电流-连续漏极(id)3：571mA（Ta），304mA（Ta）
4最大功率值4：510mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3556
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC62D0SVQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC62D0SVQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC62D0SVQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC62D0SVQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN601DWKQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
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3电流-连续漏极(id)3：305mA（Ta）
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3555
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2104
品牌： EPC EPC
描述： GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V
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5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
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4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3554
包装： 500个/
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2105
品牌： EPC EPC
描述： GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
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3电流-连续漏极(id)3：9.5A，38A
4最大功率值4：-
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外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3553
包装： 500个/
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状态： 在售
型号： EPC2103
品牌： EPC EPC
描述： GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V
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外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3552
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品牌： EPC EPC
描述： GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V
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品牌： EPC EPC
描述： GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：23A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-3550
包装： 500个/
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： CSD86350Q5DT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.7nC，25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1870pF，4000pF @ 12.5V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Ta）
4最大功率值4：13W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerLDFN
封装：8-LSON（5x6）
料号：JTG10-3549
包装： 250个/
￥16.50 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SP8J66FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： SP8J66FRA IS THE HIGH RELIABILIT
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.7nC，25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1870pF，4000pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5V @ 1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5V @ 1mA
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：9A（Ta）
4最大功率值4：2.5V @ 1mA
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3548
包装： 2500个/
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状态： 在售
型号： SP8K3FRATB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K3
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.7nC，25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1870pF，4000pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5V @ 1mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5V @ 1mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7A（Ta）
4最大功率值4：1.4W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3547
包装： 2500个/
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型号： SH8M51GZETB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 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时的输入电容（ciss）:2.5V @ 1mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta），2.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:170 毫欧 @ 3A，10V，290 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.5nC，12.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF，1550pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：3A（Ta），2.5A（Ta）
4最大功率值4：1.4W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3546
包装： 2500个/
￥6.23 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HP8K24TB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），25.3A（Tc），15A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V，10 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V，11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 10V，600pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:571mA（Ta），304mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.7 欧姆 @ 500mA，10V，6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V，0.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 25V，26pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.304nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 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料号：JTG10-3545
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状态： 在售
型号： UT6K30TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN
参数： 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 40V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.12 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:820pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18.5A（Ta），30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.75 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:940pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.1A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:805pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.1 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:42nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2565pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen III 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26.4 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1425pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V 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*5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 50V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2.5mA，2.5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 5V，10nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 40V，1100pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:28A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 40V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.5A，38A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，5V，2.7 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA，2.5V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.7nC @ 5V，12nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 30V，1200pF @ 30V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:23A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 30V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.7nC，25nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1870pF，4000pF @ 12.5V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18.5 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5V @ 1mA 不同 vds 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制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:153mOhm @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:110pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
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