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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MCQ7328-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： P-CHANNELMOSFETSOP-8
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3541
包装： 4000个/
￥2.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： AOSD21313C
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.7A（Ta）
4最大功率值4：1.7W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3540
包装： 3000个/
￥3.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： SH8KA1GZETB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta）
4最大功率值4：2W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3539
包装： 2500个/
￥2.75 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8KA1GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8KA1GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8KA1GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： QH8K22TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A（Ta）
4最大功率值4：1.1W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：TSMT8
料号：JTG10-3537
包装： 3000个/
￥2.30 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QH8K22TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QH8K22TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QH8K22TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCQ4828A-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP-
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta）
4最大功率值4：1.25W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3535
包装： 4000个/
￥3.49 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCQ4828A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCQ4828A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCQ4828A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N62TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：800mA（Ta）
4最大功率值4：500mW（Ta）
6工作温度6：150°C
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合作现货:0
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最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6P54TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V
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4最大功率值4：500mW（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：UF6
料号：JTG10-3531
包装： 3000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6P54TU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N357R,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V
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6工作温度6：150°C
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：6-TSOP-F
料号：JTG10-3530
包装： 3000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N357R,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N67NU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4A（Ta）
4最大功率值4：2W（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（2x2）
料号：JTG10-3529
包装： 3000个/
￥1.31 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N67NU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N67NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N67NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N67NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6L40TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V
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型号： SSM6P39TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
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型号： SSM6N40TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3
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1Fet类型1：2 N-通道（双）
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2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：1.6A（Ta）
4最大功率值4：500mW（Ta）
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料号：JTG10-3526
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状态： 在售
型号： SSM6N24TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET N-CHX2 VDSS3
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：500mA（Ta）
4最大功率值4：500mW（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：UF6
料号：JTG10-3524
包装： 3000个/
￥1.13 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N7002KDW-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-363 PACKAG
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：340mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3523
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： SIL2301-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： P-CHANNEL,MOSFETS,SOT23-6L PACKA
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-23-6L
料号：JTG10-3522
包装： 3000个/
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCM2301-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:880pF @ 6V
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4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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状态： 在售
型号： MCM3400A-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： N-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:880pF @ 6V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1155pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：DFN2020-6L
料号：JTG10-3520
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6L36TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + P-CH
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:880pF @ 6V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1155pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta），330mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V，1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC，1.2nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF，43pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：500mA（Ta），330mA（Ta）
4最大功率值4：500mW（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：UF6
料号：JTG10-3519
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： SSM6P36TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:331pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60pF @ 12V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39.1 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta），1.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA，2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC，2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF，120pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:405pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 1.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:880pF @ 6V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1155pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta），330mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V，1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC，1.2nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF，43pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:43pF @ 10V
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2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：330mA（Ta）
4最大功率值4：500mW（Ta）
6工作温度6：150°C
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封装：UF6
料号：JTG10-3518
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状态： 在售
型号： SSM6N36TU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:78nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.675nF @ 25V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 5.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80mOhm @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:125pf @ 15V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:195pF @ 20V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:85 毫欧 @ 800mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:177pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:228 毫欧 @ 600mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.7nC @ 4V 不同 vds 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Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:213 毫欧 @ 1A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.4nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:250pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:122 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:180pF @ 15V 系列:U-MOSIII 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:245pF @ 10V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA 不同id，vgs 时的rds 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