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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DF11MR12W1M1B11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MOD 1200V 50A
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：50A（Tj）
4最大功率值4：20mW
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-EASY1BM-2
料号：JTG10-3666
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF11MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF11MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF11MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF11MR12W1M1B11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DF11MR12W1M1PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MODULE 1200V
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：50A（Tj）
4最大功率值4：20mW
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-EASY1B-2
料号：JTG10-3667
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF11MR12W1M1PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF11MR12W1M1PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF11MR12W1M1PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF11MR12W1M1PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CAB400M12XM3
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：395A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3668
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CAB400M12XM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB400M12XM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB400M12XM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB400M12XM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CSD86336Q3DT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Ta）
4最大功率值4：6W
6工作温度6：-55°C ~ 125°C
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-VSON（3.3x3.3）
料号：JTG10-3669
包装： 250个/
￥10.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD86336Q3DT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD86336Q3DT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD86336Q3DT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD86336Q3DT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CSD86356Q5DT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Ta）
4最大功率值4：12W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-VSON-CLIP（5x6）
料号：JTG10-3670
包装： 250个/
￥14.84 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CSD86356Q5DT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD86356Q5DT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD86356Q5DT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD86356Q5DT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSM120C12P2C201
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 沟道
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：134A（Tc）
4最大功率值4：935W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3671
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM120C12P2C201' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM120C12P2C201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM120C12P2C201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM120C12P2C201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSM180D12P2E002
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：2.4A（Tc）
4最大功率值4：1360W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3672
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM180D12P2E002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM180D12P2E002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM180D12P2E002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM180D12P2E002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BSM250D17P2E004
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1700V（1.7kV）
3电流-连续漏极(id)3：250A（Tc）
4最大功率值4：1800W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3673
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM250D17P2E004' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM250D17P2E004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM250D17P2E004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM250D17P2E004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BSM400D12P3G002
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
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4最大功率值4：1570W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3674
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM400D12P3G002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM400D12P3G002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSM300D12P3E005
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：300A（Tc）
4最大功率值4：1260W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3675
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM300D12P3E005' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM300D12P3E005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM300D12P3E005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM300D12P3E005' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： BSM600D12P3G001
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：600A（Tc）
4最大功率值4：2450W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3676
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM600D12P3G001' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM600D12P3G001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM600D12P3G001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM600D12P3G001' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSM400D12P2G003
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：400A（Tc）
4最大功率值4：2450W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3677
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BSM400D12P2G003' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM400D12P2G003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM400D12P2G003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSM400D12P2G003' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMN3012LEG-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10A（Ta），20A（Tc）
4最大功率值4：2.2W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerLDFN
封装：PowerDI3333-8（D 类）
料号：JTG10-3678
包装： 1000个/
￥6.33 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LEG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LEG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LEG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
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状态： 在售
型号： EFC2K103NUZTDG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： NCH 12V 29A WLCSP DUAL
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 6V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Ta）
4最大功率值4：3.3W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：10-SMD, 无引线
封装：10-WLCSP（3.54x1.77）
料号：JTG10-3679
包装：
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型号： NVMFD5C668NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T6 60V S08FL DUAL
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 6V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15.5A（Ta），68A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1440pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：15.5A（Ta），68A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），57.5W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3681
包装： 1500个/
￥14.13 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SISF20DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 6V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15.5A（Ta），68A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1440pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1290pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：14A（Ta），52A（Tc）
4最大功率值4：5.2W（Ta），69.4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：PowerPAK® 1212-8SCD
封装：PowerPAK® 1212-8SCD
料号：JTG10-3682
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： FS45MR12W1M1B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MODULE 1200V 50A
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 6V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15.5A（Ta），68A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1440pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1290pF @ 30V 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：25A（Tj）
4最大功率值4：20mW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-EASY1BM-2
料号：JTG10-3683
包装：
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合作现货:0
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型号： FF11MR12W1M1PB11BPSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MODULE 1200V DUAL
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 35.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 66mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 109.2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:300A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 6V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15.5A（Ta），68A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1440pF @ 25V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1290pF @ 30V 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 25A，15V（标准） 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1840pF @ 800V 系列:EasyDUAL™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:100A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.3毫欧 @ 100A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 40mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:248nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7360pF @ 800V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：100A（Tj）
4最大功率值4：20mW
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-EASY1B-2
料号：JTG10-3684
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF11MR12W1M1PB11BPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF8MR12W2M1B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 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91mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:600A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.6V @ 182mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:31000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:400A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 85mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON 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6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-EASY2BM-2
料号：JTG10-3685
包装：
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状态： 在售
型号： FF6MR12W2M1B11BOMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET MODULE 1200V 200A
参数： 系列:CoolSiC™+ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:EasyPACK™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tj） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.5 毫欧 @ 50A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.55V @ 20mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:124nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3680pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:395A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.3毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 800V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:134A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 22mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：200A（Tj）
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外壳：模块
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF6MR12W2M1B11BOMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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