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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FF3MR12KM1HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER 62MM
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：375A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-62MM
料号：JTG10-3687
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF3MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF3MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF3MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF3MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FF2MR12KM1PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER 62MM
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：500A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-62MM
料号：JTG10-3688
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF2MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF2MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF2MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF2MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CAB450M12XM3
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： 1.2KV 450A SIC HALF BRIDGE MOD
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：450A
4最大功率值4：850W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3689
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CAB450M12XM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB450M12XM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB450M12XM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB450M12XM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CAS480M12HM3
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： 1.2 KV, 480A HIGH PERFORMANCE SI
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅 （SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：640A （Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3690
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CAS480M12HM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAS480M12HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAS480M12HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAS480M12HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CAB760M12HM3
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： 1.2 KV, 760A HIGH PERFORMANCE SI
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：1015A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3691
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CAB760M12HM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB760M12HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB760M12HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CAB760M12HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FMP76-01T
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET N/P-CH
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道，共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：54A（Tc），62A（Tc）
4最大功率值4：89W，132W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：ISOPLUSi5-Pak™
封装：ISOPLUS i4-PAC™
料号：JTG10-3692
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMP76-01T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP76-01T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP76-01T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP76-01T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MTI85W100GC-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：120A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：17-SMD，鸥翼
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-3693
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTI85W100GC-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTI85W100GC-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTI85W100GC-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTI85W100GC-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MTC120WX75GD-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：75V
3电流-连续漏极(id)3：180A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：ISOPLUS-DIL™
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-3694
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTC120WX75GD-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTC120WX75GD-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTC120WX75GD-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTC120WX75GD-SMD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMIX2F60N50P3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET N-CH
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V
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外壳：24-SMD 模块（9 引线）
封装：24-SMPD
料号：JTG10-3695
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型号： MTI200WX75GD-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：ISOPLUS-DIL™
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-3696
包装：
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状态： 在售
型号： MTI145WX100GD-SMD
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：190A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：ISOPLUS-DIL™
封装：ISOPLUS-DIL™
料号：JTG10-3697
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTI145WX100GD-SMD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： IXFN27N120SK
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG10-3698
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXFN27N120SK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXFN27N120SK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXFN27N120SK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXFN27N120SK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MKE38P600TLB
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET N-CH
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
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3电流-连续漏极(id)3：50A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-SMD 模块
封装：ISOPLUS-SMPD™.B
料号：JTG10-3699
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MKE38P600TLB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MKE38P600TLB-TRR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET N-CH
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-SMD 模块
封装：ISOPLUS-SMPD™.B
料号：JTG10-3700
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MKE38P600TLB-TRR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKE38P600TLB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MKE38P600TLB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MCB20P1200LB-TRR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MCB20P1200LB-TRR
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 N 沟道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-PowerSMD
封装：9-SMPD-B
料号：JTG10-3701
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCB20P1200LB-TRR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCB20P1200LB-TUB
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MCB20P1200LB-TUB
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 N 沟道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-PowerSMD
封装：9-SMPD-B
料号：JTG10-3702
包装：
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合作现货:0
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型号： MSCSM120AM50CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：55A（Tc）
4最大功率值4：245W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP1F
料号：JTG10-3703
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM50CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM50CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM50CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM50CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCB30P1200LB-TRR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MCB30P1200LB-TRR
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MCB30P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
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料号：JTG10-3704
包装：
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型号： MCB30P1200LB-TUB
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MCB30P1200LB-TUB
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 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1Fet类型1：4 N 沟道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：-
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6工作温度6：-
外壳：9-PowerSMD
封装：9-SMPD-B
料号：JTG10-3705
包装：
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型号： IXFN130N90SK
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:450A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 450A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 132mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1330nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38000pF @ 800V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅 （SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:640A （Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.97 毫欧 @ 480A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 160mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:1015A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.73 毫欧 @ 760A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 280mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道，共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54A（Tc），62A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 38A，10V，11 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA，4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:197nC @ 10V，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF @ 25V，5080pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:120A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 150µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:88nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:180A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:178nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10500pF @ 25V 系列:HiPerFET™, Polar3™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:110 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:96nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6250pF @ 25V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:75V *3电流-连续漏极(id)*3:255A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 38V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:190A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 毫欧 @ 100A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 275µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:155nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11100pF @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB20P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MCB30P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:MCB30P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG10-3706
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXFN130N90SK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXFN130N90SK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXFN130N90SK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXFN130N90SK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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