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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MSCSM70AM19CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：124A（Tc）
4最大功率值4：365W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP1F
料号：JTG10-3707
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70AM19CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM19CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM19CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM19CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MSCC60VRM99CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：19A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3708
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCC60VRM99CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCC60VRM99CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCC60VRM99CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCC60VRM99CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MSCSM120AM31CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：89A（Tc）
4最大功率值4：395W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP1F
料号：JTG10-3709
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM31CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM31CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM31CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM31CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MCB40P1200LB-TRR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MCB40P1200LB-TRR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共源
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：58A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-PowerSMD
封装：9-SMPD-B
料号：JTG10-3710
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCB40P1200LB-TRR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB40P1200LB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB40P1200LB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB40P1200LB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MCB60P1200TLB-TRR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MCB60P1200TLB-TRR
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 N 沟道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-PowerSMD
封装：9-SMPD-B
料号：JTG10-3711
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCB60P1200TLB-TRR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB60P1200TLB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB60P1200TLB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB60P1200TLB-TRR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCB40P1200LB-TUB
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： POWER MOSFET
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共源
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：58A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-SMD 电源模块
封装：SMPD
料号：JTG10-3712
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCB40P1200LB-TUB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB40P1200LB-TUB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB40P1200LB-TUB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB40P1200LB-TUB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MSCSM70VM19C3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：124A（Tc）
4最大功率值4：365W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3713
包装：
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合作现货:0
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型号： MCB60P1200TLB-TUB
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MCB60P1200TLB-TUB
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：4 N 沟道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：9-PowerSMD
封装：9-SMPD-B
料号：JTG10-3714
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCB60P1200TLB-TUB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MSCSM120HM50CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：55A（Tc）
4最大功率值4：245W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3715
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120HM50CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM50CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM50CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM50CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMPA60P1000TLA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET MODULE - PHASELEG Y3-LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MMPA60P1000TLA 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：Y3-Li
封装：Y3-Li
料号：JTG10-3716
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMPA60P1000TLA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMPA60P1000TLA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MSCC60AM23C4AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MMPA60P1000TLA 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:81A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 N 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：81A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：模块
封装：SP4
料号：JTG10-3717
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCC60AM23C4AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCC60AM23C4AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCC60AM23C4AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCC60AM23C4AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MSCSM120AM16CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MMPA60P1000TLA 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:81A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：173A（Tc）
4最大功率值4：745W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP1F
料号：JTG10-3718
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM16CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM16CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM16CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM16CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSCSM70HM19CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MMPA60P1000TLA 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:81A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：124A（Tc）
4最大功率值4：365W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3719
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70HM19CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MSCSM70AM10CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
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5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：241A（Tc）
4最大功率值4：690W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3720
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70AM10CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM10CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM10CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM10CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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当天可发货
2~5天可到达
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型号： MSCC60VRM45TAPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MMPA60P1000TLA 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:81A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:241A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
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2漏源极电压(vdss)2：600V
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4最大功率值4：-
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外壳：模块
封装：SP6-P
料号：JTG10-3721
包装：
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合作现货:0
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型号： MSCSM120HM31CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
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1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：89A（Tc）
4最大功率值4：395W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3722
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120HM31CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM31CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM31CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSCSM70VM10C4AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:CoolMOS™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:58A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:55A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:137nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1990pF @ 1000V 系列:MMPA60P1000TLA 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:81A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:241A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:238A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：238A（Tc）
4最大功率值4：674W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP4
料号：JTG10-3723
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70VM10C4AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MSCM20AM058G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-FREDFET-5-LP8
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1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
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6工作温度6：-
外壳：模块
封装：LP8
料号：JTG10-3724
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCM20AM058G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MSCSM70TAM19CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:MCB40P1200LB 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V 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制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：124A（Tc）
4最大功率值4：365W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3725
包装：
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型号： MSCSM70AM07CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
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on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:238A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:124A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:215nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4500pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:353A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:645nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13500pF @ 700V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：353A（Tc）
4最大功率值4：988W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3726
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70AM07CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM07CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM07CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM07CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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