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元器件型号：5451 件
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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MSCSM120TAM31CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：89A（Tc）
4最大功率值4：395W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3727
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120TAM31CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120TAM31CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120TAM31CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120TAM31CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSCSM120AM11CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：254A（Tc）
4最大功率值4：1.067kW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3728
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM11CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM11CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM11CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM11CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSCMC90AM12C3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：110A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3729
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCMC90AM12C3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC90AM12C3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC90AM12C3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC90AM12C3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSCSM120AM08CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:928nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.08pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：337A（Tc）
4最大功率值4：1.409kW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3730
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM08CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM08CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM08CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM08CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSCSM120HM16CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:928nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.08pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V
1Fet类型1：4 个 N 通道
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：173A（Tc）
4最大功率值4：745W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP3F
料号：JTG10-3731
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120HM16CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM16CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM16CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120HM16CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSCSM70TAM10CTPAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:928nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.08pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:238A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：700V
3电流-连续漏极(id)3：238A（Tc）
4最大功率值4：674W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6-P
料号：JTG10-3732
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型号： MSCSM70AM025CT6AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
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外壳：模块
封装：SP6C
料号：JTG10-3733
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM70AM025CT6AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM025CT6AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM025CT6AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM70AM025CT6AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:928nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.08pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:238A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:171A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V
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外壳：模块
封装：SP6-P
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合作现货:0
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型号： MSCSM120AM042CT6AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:928nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.08pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:238A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:171A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.1pF @ 1000V
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5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：495A（Tc）
4最大功率值4：2.031kW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C
料号：JTG10-3735
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM042CT6AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
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型号： MSCSM120AM042CD3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
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外壳：模块
封装：D3
料号：JTG10-3739
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
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2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：251A（Tc）
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封装：SP6-P
料号：JTG10-3740
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:928nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.08pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:238A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:171A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.1pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18100pF @ 1kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.1pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:251A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:733A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 360A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2088nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27000pF @1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：733A（Tc）
4最大功率值4：2.97kW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C
料号：JTG10-3741
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MSCSM120AM027CD3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
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1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
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外壳：模块
封装：D3
料号：JTG10-3742
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCSM120AM027CD3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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型号： MSCSM120AM03CT6LIAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） 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4最大功率值4：3.215kW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C LI
料号：JTG10-3743
包装：
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型号： MSCMC120AM07CT6LIAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） 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制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18100pF @ 1kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.1pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:251A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:733A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 360A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2088nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27000pF @1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:733A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 360A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2088nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27000pF @1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:805A（Tc） 不同id，vgs 时的rds 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1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：264A（Tc）
4最大功率值4：1350W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C LI
料号：JTG10-3744
包装：
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型号： MSCSM120AM02CT6LIAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） 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制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18100pF @ 1kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.1pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） 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on（最大值）:3.1 毫欧 @ 400A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2320nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30200pF @ 1kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:264A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.7 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 60mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:690nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:947A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 480A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2784nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36240pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：947A（Tc）
4最大功率值4：3.75kW（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C LI
料号：JTG10-3745
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCSM120AM02CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSCMC120AM04CT6LIAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:89A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:232nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3020pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:254A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:110A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:928nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.08pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:173A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:238A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 8mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:430nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9000pF @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:171A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 2mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:464nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6040pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.1pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:700V *3电流-连续漏极(id)*3:538A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18100pF @ 1kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:495A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1392nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18.1pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:251A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.4 毫欧 @ 120A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:696nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9060pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:733A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 360A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2088nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27000pF @1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:733A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 360A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2088nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27000pF @1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:805A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.1 毫欧 @ 400A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2320nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30200pF @ 1kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:264A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.7 毫欧 @ 240A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 60mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:690nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11400pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:947A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 480A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 12mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2784nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:36240pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:388A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 90mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:966nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16700pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：388A（Tc）
4最大功率值4：1754W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C LI
料号：JTG10-3746
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCMC120AM04CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM04CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM04CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM04CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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