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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MSCMC120AM03CT6LIAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：631A（Tc）
4最大功率值4：2778W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C LI
料号：JTG10-3747
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCMC120AM03CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM03CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM03CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM03CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MSCMC120AM02CT6LIAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：742A（Tc）
4最大功率值4：3200W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C LI
料号：JTG10-3748
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCMC120AM02CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM02CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM02CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC120AM02CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MSCMC170AM08CT6LIAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1700V（1.7kV）
3电流-连续漏极(id)3：280A（Tc）
4最大功率值4：1780W（Tc）
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：SP6C LI
料号：JTG10-3749
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCMC170AM08CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC170AM08CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC170AM08CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCMC170AM08CT6LIAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SIL2300-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A（Tc）
4最大功率值4：1.25W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-23-6L
料号：JTG10-3750
包装： 3000个/
￥0.90 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIL2300-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIL2300-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIL2300-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIL2300-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N37FE,LM
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：250mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：ES6
料号：JTG10-3751
包装： 4000个/
￥0.53 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N37FE,LM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N37FE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N37FE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N37FE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
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状态： 在售
型号： 2N7002KDW-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 340MA SO
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：340mA（Ta）
4最大功率值4：150mW（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3752
包装： 3000个/
￥0.49 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AOCA32112E
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： 20V COMMON-DRAIN DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A（Ta）
4最大功率值4：1.1W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：4-SMD，无引线
封装：4-AlphaDFN（0.97x0.97）
料号：JTG10-3753
包装： 15000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOCA32112E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N55NU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-µDFN（2x2）
料号：JTG10-3756
包装： 3000个/
￥1.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N55NU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N55NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N55NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N55NU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6N68NU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4A（Ta）
4最大功率值4：2W（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
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料号：JTG10-3757
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型号： AO4812
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 6A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-3758
包装：
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型号： AOCA24108E
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET LV N-CH DFN 1.79X1.18
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
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5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
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型号： CMSBN4612-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： MOSFET DUAL N-CH 22VDS 12VGS 2A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：22V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta）
4最大功率值4：1.4W（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：4-SMD，无引线
封装：CSPB1313-4
料号：JTG10-3764
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMS25NN03V8-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： MOSFET N-CH 30VDS 20VGS 25A PDFN
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：25A
4最大功率值4：1.7W（Ta），20.8W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PDFN（SPR-PAK ）（3.3x3.3）
料号：JTG10-3765
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMS25NN03V8-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMS25NN03V8-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMS25NN03V8-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMSBN4616-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： MOSFET DUAL N-CH 15VDS 12VGS 8A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta）
4最大功率值4：1.5W（Ta）
6工作温度6：150°C
外壳：4-SMD，无引线
封装：CSPB1515-4
料号：JTG10-3767
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AOCA32108E
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： 12V COMMON-DRAIN DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：25A（Ta）
4最大功率值4：3.1W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：10-SMD, 无引线
封装：10-AlphaDFN（3.01x1.52）
料号：JTG10-3768
包装： 8000个/
￥3.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AONL32328
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： 30V COMPLEMENTARY MOSFET
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V，24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V，730pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道和 2 个 P 通道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），7A（Ta）
4最大功率值4：2.6W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：12-PowerWDFN
封装：12-DFN-EP（4x3）
料号：JTG10-3769
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： AOC3870A
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N-CHANNEL 6DFN
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V，24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:22A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：22A（Ta）
4最大功率值4：2.3W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：10-SMD, 无引线
封装：10-AlphaDFN（3.01x1.52）
料号：JTG10-3770
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3870A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AOD609G
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH TO252-4
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V，24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:22A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V，45 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC，21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:545pF，890pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：12A（Tc）
4最大功率值4：2W（Ta），27W（Tc），2W（Ta），30W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
封装：TO-252-4L
料号：JTG10-3771
包装： 2500个/
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状态： 在售
型号： CSD86356Q5D
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V，24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:22A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V，45 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC，21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:545pF，890pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Ta）
4最大功率值4：12W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-VSON-CLIP（5x6）
料号：JTG10-3777
包装： 2500个/
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状态： 在售
型号： DMC2710UDW-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:631A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.4 毫欧 @ 500A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 150mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1610nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:742A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.85 毫欧 @ 600A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 180mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1932nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:33500pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:280A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 300A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 108mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1128nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22000pF @ 1000V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:620pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12pF @ 10V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:340mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:40pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:280pF @ 15V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:84毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:129pF @ 15V 系列:* 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:310pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:22V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:572pF @ 15V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:18 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 10V，24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:22A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V，45 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC，21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:545pF，890pF @ 20V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450mOhm @ 600mA，4.5V，750mOhm @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：750mA（Ta），600mA（Ta）
4最大功率值4：290mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3778
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2710UDW-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2710UDW-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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