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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DMN2053UVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.6A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3799
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2053UVT-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2053UVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMG1023UVQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.03A（Ta）
4最大功率值4：530mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3800
包装： 3000个/
￥0.88 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG1023UVQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1023UVQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMP2110UVT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.8A（Ta）
4最大功率值4：740mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3801
包装： 3000个/
￥0.90 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMP2110UVT-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2110UVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2110UVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2110UVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC2053UVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.6A（Ta），3.2A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3802
包装： 10000个/
￥1.03 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2053UVT-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2053UVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2053UVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2053UVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC2710UV-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.1A（Ta），800mA（Ta）
4最大功率值4：460mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3803
包装： 3000个/
￥0.94 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2710UV-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2710UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2710UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2710UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMP2900UV-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：850mA（Ta）
4最大功率值4：500mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-3804
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2900UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2900UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP2900UV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMC67D8UFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 41V~60V U-DFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3805
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC67D8UFDB-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC67D8UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC67D8UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC67D8UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： DMC2025UFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta），3.5A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3806
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2025UFDB-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2025UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2025UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2025UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMG6602SVTX-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V
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型号： DMC2710UVT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26
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1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.2A（Ta），900mA（Ta）
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3808
包装： 3000个/
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC67D8UFDBQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
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2漏源极电压(vdss)2：60V，20V
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型号： DMC2057UVT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
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型号： DMC3730UVT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:416pF @ 10V，536pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:680mA（Ta），460mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V，63pF @ 10V
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3电流-连续漏极(id)3：680mA（Ta），460mA（Ta）
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6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:416pF @ 10V，536pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:680mA（Ta），460mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V，63pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF，324pF @ 15V
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5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.6A（Ta），2.8A（Ta）
4最大功率值4：830mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3812
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型号： DMC3061SVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
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1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.4A（Ta），2.7A（Ta）
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3813
包装：
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1~2周可到达
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型号： DMN3060LVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:416pF @ 10V，536pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:680mA（Ta），460mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V，63pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF，324pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC，6.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF，287pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.6A（Ta）
4最大功率值4：830mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3814
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3060LVT-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3060LVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3060LVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3060LVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMP3164LVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:416pF @ 10V，536pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:680mA（Ta），460mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V，63pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF，324pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC，6.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF，287pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1V @ 250µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.1V @ 250µA
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：标准
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4最大功率值4：2.1V @ 250µA
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3815
包装：
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合作现货:0
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型号： DMN3061SVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 25V~30V TSOT26
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:416pF @ 10V，536pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:680mA（Ta），460mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V，63pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF，324pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC，6.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF，287pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1V @ 250µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.1V @ 250µA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.4A（Ta）
4最大功率值4：880mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3816
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3061SVT-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： DMN2053UVT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:416pF @ 10V，536pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:680mA（Ta），460mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V，63pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF，324pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC，6.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF，287pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1V @ 250µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.1V @ 250µA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.6A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-3818
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMN2025UFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.03A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:622pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:59pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:443pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta），3.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V，74 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V，5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V，440pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A（Ta），800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600pC，700pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:850mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:750 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:49pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta），3.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA，1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V，642pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V，9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:400pF @ 15V，420pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.2A（Ta），900mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.1pC，0.7pC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:42pF，49pF @ 16V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，20V *3电流-连续漏极(id)*3:390mA（Ta），2.9A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA，1.25V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4pC，7.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:41pF，443pF @ 25V，16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta），3.3A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA，1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:416pF @ 10V，536pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:680mA（Ta），460mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V，63pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta），2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF，324pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta），2.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC，6.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF，287pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:395pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:标准 *3电流-连续漏极(id)*3:2.8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:95mOhm @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.1V @ 250µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.1V @ 250µA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:278pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:369pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:486pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6（B 类）
料号：JTG10-3820
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2025UFDB-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2025UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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