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元器件型号：5451 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DMNH6065SPDW-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：27A（Tc）
4最大功率值4：2.4W（Ta），68W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：PowerDI5060-8（R 类）
料号：JTG10-3867
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMNH6065SPDW-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6065SPDW-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6065SPDW-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6065SPDW-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMT47M2LDV-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：11.9A（Ta），30.2A（Tc）
4最大功率值4：2.34W（Ta），14.8W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerDI3333-8（UXC 类）
料号：JTG10-3868
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMT47M2LDV-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT47M2LDV-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT47M2LDV-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT47M2LDV-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMT47M2LDV-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：11.9A（Ta），30.2A（Tc）
4最大功率值4：2.34W（Ta），14.8W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerDI3333-8（UXC 类）
料号：JTG10-3869
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMT47M2LDV-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT47M2LDV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT47M2LDV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT47M2LDV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SQJB02ELP-T1_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：27W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：PowerPAK® SO-8 双
封装：PowerPAK® SO-8 双
料号：JTG10-3870
包装： 3000个/
￥4.20 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQJB02ELP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB02ELP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB02ELP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJB02ELP-T1_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN3022LDG-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.6A（Ta），15A（Tc）
4最大功率值4：1.96W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerLDFN
封装：PowerDI3333-8（D 类）
料号：JTG10-3871
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3022LDG-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3022LDG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3022LDG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3022LDG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN3022LFG-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.6A（Ta），15A（Tc）
4最大功率值4：1.96W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerLDFN
封装：PowerDI3333-8（D 类）
料号：JTG10-3872
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQ4940AEY-T1_BE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Tc）
4最大功率值4：4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3873
包装： 2500个/
￥3.51 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4940AEY-T1_BE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4940AEY-T1_BE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4940AEY-T1_BE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZ998BDT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc）
4最大功率值4：3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerPair™
封装：8-PowerPair™
料号：JTG10-3874
包装： 3000个/
￥3.27 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZ998BDT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ998BDT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ998BDT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ998BDT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN3022LDG-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.6A（Ta），15A（Tc）
4最大功率值4：1.96W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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封装：PowerDI3333-8（D 类）
料号：JTG10-3875
包装：
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状态： 在售
型号： DMN3022LFG-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V
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5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.6A（Ta），15A（Tc）
4最大功率值4：1.96W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerLDFN
封装：PowerDI3333-8（D 类）
料号：JTG10-3876
包装：
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMTH4014LPDQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：10.6A（Ta），43.6A（Tc）
4最大功率值4：2.41W（Ta），42.8W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：PowerDI5060-8
料号：JTG10-3877
包装： 2500个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQ9945BEY-T1_BE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：5.4A（Tc）
4最大功率值4：4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3878
包装： 2500个/
￥4.32 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMTH6016LPD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta），33.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：9.2A（Ta），33.2A（Tc）
4最大功率值4：2.5W（Ta），37.5W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
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封装：PowerDI5060-8
料号：JTG10-3879
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状态： 在售
型号： DMNH6065SPDWQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta），33.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：27A（Tc）
4最大功率值4：2.4W（Ta），68W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：PowerDI5060-8（R 类）
料号：JTG10-3880
包装：
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SQJB60EP-T2_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta），33.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：48W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：PowerPAK® SO-8 双
封装：PowerPAK® SO-8 双
料号：JTG10-3881
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SQ4949EY-T1_BE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta），33.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.5A（Tc）
4最大功率值4：3.3W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3882
包装： 2500个/
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合作现货:0
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型号： DMT47M2LDVQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） 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*1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta），33.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：11.9A（Ta），30.2A（Tc）
4最大功率值4：2.34W（Ta），14.8W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerDI3333-8（UXC 类）
料号：JTG10-3883
包装： 3000个/
￥4.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMT47M2LDVQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 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*1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 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状态： 在售
型号： SQ4920EY-T1_BE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
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*1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta），33.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V 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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Tc）
4最大功率值4：4.4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3885
包装： 2500个/
￥8.45 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SQJ910AEP-T2_GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:43nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:741pF @ 20V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.39 欧姆 @ 15A，10V，2.4 欧姆 @ 19A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V，46.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:790pF @ 15V，2130pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.6A（Ta），15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 10A，5V，8 毫欧 @ 10A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.7nC @ 4.5V，8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:481pF @ 15V，996pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.6A（Ta），43.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:733pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.4A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:64 毫欧 @ 3.4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9.2A（Ta），33.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:864pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:65 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:466pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1600pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.9A（Ta），30.2A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:891pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1465pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:39nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1869pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：48W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：PowerPAK® SO-8 双
封装：PowerPAK® SO-8 双
料号：JTG10-3886
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQJ910AEP-T2_GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ910AEP-T2_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ910AEP-T2_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQJ910AEP-T2_GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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