首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DMN3012LDG-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10A（Ta），20A（Tc）
4最大功率值4：2.2W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerLDFN
封装：PowerDI3333-8（D 类）
料号：JTG10-3907
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3012LDG-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LDG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LDG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LDG-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN3012LEG-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10A（Ta），20A（Tc）
4最大功率值4：2.2W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerLDFN
封装：PowerDI3333-8（D 类）
料号：JTG10-3908
包装： 3000个/
￥5.61 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3012LEG-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LEG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LEG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3012LEG-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SISF02DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：30.5A（Ta），60A（Tc）
4最大功率值4：5.2W（Ta），69.4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：PowerPAK® 1212-8SCD
封装：PowerPAK® 1212-8SCD
料号：JTG10-3909
包装： 3000个/
￥5.68 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SISF02DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SISF02DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SISF02DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SISF02DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SQ4917EY-T1_BE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Tc）
4最大功率值4：5W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3910
包装： 2500个/
￥6.37 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SQ4917EY-T1_BE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4917EY-T1_BE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4917EY-T1_BE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SQ4917EY-T1_BE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZF360DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc）
4最大功率值4：3.8W（Ta），52W（Tc），4.3W（Ta），78W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-PowerPair™
封装：6-PowerPair™
料号：JTG10-3911
包装： 3000个/
￥5.84 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZF360DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF360DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF360DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF360DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZF914DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）
4最大功率值4：3.4W (Ta)，26.6W (Tc)，4W (Ta)，60W (Tc)
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PowerPair®（6x5）
料号：JTG10-3912
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZF914DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF914DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF914DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF914DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZF906ADT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET DUAL N-CHAN 30V
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc）
4最大功率值4：4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PowerPair®（6x5）
料号：JTG10-3913
包装： 3000个/
￥5.86 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZF906ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF906ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF906ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZF906ADT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMT10H017LPD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：54.7A（Tc）
4最大功率值4：2.2W（Ta），78W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：PowerDI5060-8
料号：JTG10-3914
包装： 2500个/
￥6.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMT10H017LPD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT10H017LPD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT10H017LPD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMT10H017LPD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMNH6021SPDWQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8.2A（Ta），32A（Tc）
4最大功率值4：1.5W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：PowerDI5060-8（R 类）
料号：JTG10-3915
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMNH6021SPDWQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6021SPDWQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6021SPDWQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMNH6021SPDWQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NP16N06QLK-E1-AY
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：16A（Tc）
4最大功率值4：1W（Ta），25W（Tc）
6工作温度6：175°C
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3916
包装： 2500个/
￥8.23 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NP16N06QLK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP16N06QLK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP16N06QLK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP16N06QLK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NP30N06QDK-E1-AY
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：1W（Ta），59W（Tc）
6工作温度6：175°C
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3917
包装： 2500个/
￥9.59 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NP30N06QDK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP30N06QDK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP30N06QDK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP30N06QDK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NP30N04QUK-E1-AY
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS 8P HSO
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：30A（Tc）
4最大功率值4：1W（Ta），59W（Tc）
6工作温度6：175°C
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3918
包装： 2500个/
￥11.01 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NP30N04QUK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP30N04QUK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP30N04QUK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NP30N04QUK-E1-AY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTJD1155LT2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH SC-88-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：400mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-3919
包装： 3000个/
￥0.87 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTJD1155LT2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD1155LT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD1155LT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD1155LT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N7002DW-G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88-6
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：115mA（Ta）
4最大功率值4：200mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-3920
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002DW-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDMA1023PZ-F106
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DUAL P-CH ERTRENCH FETS
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:655pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.7A（Ta）
4最大功率值4：700mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-MicroFET（2x2）
料号：JTG10-3921
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMA1023PZ-F106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA1023PZ-F106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA1023PZ-F106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA1023PZ-F106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC2J022NUZTCG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 12V 2.2MOHM WLCSP10
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:655pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3922
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EFC2J022NUZTCG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC2J022NUZTCG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC2J022NUZTCG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC2J022NUZTCG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD030N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:655pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A（Ta），19A（Tc）
4最大功率值4：3.2W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3924
包装： 1500个/
￥4.15 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD024N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:655pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），24A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），28W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3925
包装： 1500个/
￥3.72 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD020N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:655pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），27A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），31W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3926
包装： 1500个/
￥5.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VEC2616-TL-H-Z-W
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF @ 15V，1480pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Ta），20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.1nC，12.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:850pF，1480pF @ 15V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:30.5A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.5 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2650pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:48 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:65nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1910pF @ 30V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，3150pF @ 15V 系列:PowerPAIR®, TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:23.5A（Ta），40A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8毫欧 @ 10A，10V，0.9毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC，98nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1050pF，4670pF @ 10V 系列:TrenchFET® Gen IV 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:27A（Ta），60A（Tc），52A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:49nC @ 10V，200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 15V，8200pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:54.7A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.4 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:28.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1986pF @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8.2A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1143pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:750pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:30A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2400pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:8V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 1.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 3.7A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:655pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3927
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VEC2616-TL-H-Z-W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VEC2616-TL-H-Z-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VEC2616-TL-H-Z-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VEC2616-TL-H-Z-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页3921-3940条    197/273页    首 页    上一页   193  194  195  196  197  198  199  200  201   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922