首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NTMFD016N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：9A（Ta），32A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），36W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3928
包装： 1500个/
￥5.51 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDMS7620S-F106
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V POWER56
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10.1A，12.4A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：1W
外壳：8-PowerWDFN
封装：Power56
料号：JTG10-3929
包装： 3000个/
￥4.56 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMS7620S-F106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS7620S-F106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS7620S-F106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS7620S-F106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFWD024N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），24A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），28W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3930
包装： 1500个/
￥9.09 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFWD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFWD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFWD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFWD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD024N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），24A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），28W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3931
包装： 1500个/
￥9.18 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD024N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC3J018NUZTDG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：23A（Ta）
4最大功率值4：2.5W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-XFBGA，WLCSP
封装：6-WLCSP（1.77x3.05）
料号：JTG10-3932
包装： 5000个/
￥3.86 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EFC3J018NUZTDG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC3J018NUZTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC3J018NUZTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC3J018NUZTDG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD020N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），27A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），31W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3933
包装： 1500个/
￥8.72 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD020N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C478NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：9.8A（Ta），27A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3934
包装： 1500个/
￥7.19 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C478NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C478NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：10.5A（Ta），29A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3935
包装： 1500个/
￥7.23 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C478NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD6H846NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：9，4A（Ta），31A（Tc）
4最大功率值4：3，2W（Ta），34W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3937
包装： 1500个/
￥6.19 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTTFS5C478NLTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： AFSM T6 40V LL U8FL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3938
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTTFS5C478NLTAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C478NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C478NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C478NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C478NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：10.5A（Ta），29A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3939
包装： 1500个/
￥6.91 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C478NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C478NWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 17 MOHM T8 S08FL DUAL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：9.8A（Ta），27A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3940
包装： 1500个/
￥6.50 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C478NWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C478NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STL38DN6F7AG
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：10A（Tc）
4最大功率值4：57.7W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerFlat™（5x6）
料号：JTG10-3942
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL38DN6F7AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL38DN6F7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL38DN6F7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL38DN6F7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD030N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A（Ta），19A（Tc）
4最大功率值4：3.2W（Ta），23W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3943
包装： 1500个/
￥7.79 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD030N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFWD016N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：9A（Ta），32A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），36W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3944
包装： 1500个/
￥9.96 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFWD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFWD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFWD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFWD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD6H846NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：9，4A（Ta），31A（Tc）
4最大功率值4：3，2W（Ta），34W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3945
包装： 1500个/
￥8.27 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H846NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD5875NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 22A SO8FL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），22A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7A（Ta），22A（Tc）
4最大功率值4：3.2W（Ta），32W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3946
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5875NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C466NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），22A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：14A（Ta），49A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），38W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3947
包装： 1500个/
￥7.49 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C470NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），22A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A（Ta），36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：11.7A（Ta），36A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），28W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3948
包装： 1500个/
￥8.13 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C470NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C470NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C470NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C470NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C470NWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A，12.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 10.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），24A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22.6 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:333pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:23A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.7 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:75nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.3 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:355pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:10.5A（Ta），29A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.5 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:9.8A（Ta），27A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 20µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:325pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:10A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:380pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），19A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29.7 毫欧 @ 3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:255pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7A（Ta），22A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A（Ta），36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:11.7A（Ta），36A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.7 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:420pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：11.7A（Ta），36A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），28W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3949
包装： 1500个/
￥7.50 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C470NWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C470NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C470NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C470NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页3941-3960条    198/273页    首 页    上一页   194  195  196  197  198  199  200  201  202   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922