首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NVMFD016N06CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：9A（Ta），32A（Tc）
4最大功率值4：3.1W（Ta），36W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3950
包装： 1500个/
￥9.18 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD016N06CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STL52DN4LF7AG
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：18A（Tc）
4最大功率值4：65W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerFlat™（5x6）
料号：JTG10-3951
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL52DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL52DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL52DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL52DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTTFS5C471NLTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： AFSM T6 40V LL U8FL
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3952
包装： 1500个/
￥7.48 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTTFS5C471NLTAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C471NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C471NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C471NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD2D4N03P8
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc）
4最大功率值4：1W（Ta），23W（Tc），1.1W（Ta），25W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PQFN（5x6）
料号：JTG10-3953
包装： 3000个/
￥5.18 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD2D4N03P8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD2D4N03P8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD2D4N03P8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD2D4N03P8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD6H846NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：9，4A（Ta），31A（Tc）
4最大功率值4：3，2W（Ta），34W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3954
包装： 1500个/
￥5.73 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD6H846NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H846NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H846NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H846NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STL76DN4LF7AG
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Tc）
4最大功率值4：71W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerFlat™（5x6）
料号：JTG10-3955
包装： 3000个/
￥6.34 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL76DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL76DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL76DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL76DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD6H852NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 80V 8DFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：2 N-通道（双）
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：295mA
4最大功率值4：250mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3956
包装： 1500个/
￥5.68 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD6H852NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD6H852NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD6H852NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD6H852NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C466NWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：14A（Ta），49A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），38W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3957
包装： 1500个/
￥8.20 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C466NWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C466NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C466NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C466NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD5C466NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3958
包装： 1500个/
￥3.54 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C466NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STL64DN4F7AG
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET P-CH
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Tc）
4最大功率值4：57W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerFlat™（5x6）
料号：JTG10-3959
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL64DN4F7AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL64DN4F7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL64DN4F7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL64DN4F7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTTFD2D8N03P1E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 30V 12WQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：16.1A（Ta），80A（Tc）
4最大功率值4：1.04W（Ta），26W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：12-PowerWQFN
封装：12-WQFN（3.3x3.3）
料号：JTG10-3960
包装： 3000个/
￥8.77 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTTFD2D8N03P1E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD2D8N03P1E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD2D8N03P1E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD2D8N03P1E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C462NWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3961
包装： 1500个/
￥12.40 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C462NWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C462NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C462NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C462NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTTFD9D0N06HLTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：9A（Ta），38A（Tc）
4最大功率值4：1.7W（Ta），26W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：12-PowerWQFN
封装：12-WQFN（3.3x3.3）
料号：JTG10-3962
包装： 3000个/
￥8.10 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTTFD9D0N06HLTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD9D0N06HLTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD9D0N06HLTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD9D0N06HLTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTTFD4D0N04HLTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：15A（Ta），60A（Tc）
4最大功率值4：1.7W（Ta），26W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：12-PowerWQFN
封装：12-WQFN（3.3x3.3）
料号：JTG10-3963
包装： 3000个/
￥7.88 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTTFD4D0N04HLTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD4D0N04HLTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD4D0N04HLTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFD4D0N04HLTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STL105DN4LF7AG
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1594pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：40A（Tc）
4最大功率值4：94W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerFlat™（5x6）
料号：JTG10-3964
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL105DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL105DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL105DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL105DN4LF7AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NVMFD5C668NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T6 60V S08FL DUAL
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1594pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3965
包装： 1500个/
￥12.17 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C668NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C668NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C668NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C668NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD5C680NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T6 60V LL SO8FL DUAL
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1594pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：7.5A（Ta），26A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），19W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3966
包装： 1500个/
￥2.65 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD5C680NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C680NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C680NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C680NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTTFS5C658NLTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： AFSM T6 60V LL U8FL
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1594pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3967
包装： 1500个/
￥2.99 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTTFS5C658NLTAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C658NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C658NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTTFS5C658NLTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD5C466NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T6 40V LL S08FL DS
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1594pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：14A（Ta），52A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），40W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3968
包装： 1500个/
￥3.98 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD5C466NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C466NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C466NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C466NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD5C674NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T6 60V LL S08FL DS
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），32A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16.3 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:489pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:17A（Ta），56A（Tc），25A（Ta），84A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 17A，10V，2.4 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC，55nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1715pF @ 15V，3825pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:9，4A（Ta），31A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 21µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:900pF @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:956pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:2 N-通道（双） *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:295mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:26pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），49A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.1 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:637pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16.1A（Ta），80A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20.8nC @ 10V，20.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 15V，1521pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:9A（Ta），38A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:948pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Ta），60A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 50µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:40A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:27.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1594pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A（Ta），26A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 13µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:350pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），52A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 30µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:997pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:11A（Ta），42A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:640pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：11A（Ta），42A（Tc）
4最大功率值4：3W（Ta），37W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3969
包装： 1500个/
￥3.16 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD5C674NLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C674NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C674NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD5C674NLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页3961-3980条    199/273页    首 页    上一页   195  196  197  198  199  200  201  202  203   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922