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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FDWS9520L-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： PT8P 40V LL DUAL PQFN56
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：60.8A（Tc）
4最大功率值4：75W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-PQFN（5x6）
料号：JTG10-3970
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDWS9520L-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDWS9520L-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDWS9520L-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDWS9520L-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NVMFD5C446NWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：24A（Ta），127A（Tc）
4最大功率值4：3.2W（Ta），89W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3971
包装： 1500个/
￥16.46 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD5C446NWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C446NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C446NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD5C446NWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NVMFD6H840NLWFT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T8 80V LL SO8FL DS
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：14A（Ta），74A（Tc）
4最大功率值4：2002pF @ 40V
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：JTG10-3972
包装： 1500个/
￥10.84 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NVMFD6H840NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H840NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H840NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NVMFD6H840NLWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDMS001N025DSD
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc）
4最大功率值4：2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PQFN（5x6）
料号：JTG10-3973
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMS001N025DSD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS001N025DSD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS001N025DSD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS001N025DSD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD1D4N02P1E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N-CH 20V 8PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）
4最大功率值4：960mW（Ta），1W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PQFN（5x6）
料号：JTG10-3974
包装： 3000个/
￥9.66 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD1D4N02P1E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD1D4N02P1E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD1D4N02P1E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD1D4N02P1E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD5C446NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T6 40V LL S08FL DS
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V
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外壳：8-PowerTDFN
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料号：JTG10-3975
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTMFD5C650NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： T6 60V LL S08FL DS
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型号： NTMFD5C462NLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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5Fet功能5：-
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3电流-连续漏极(id)3：-
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6工作温度6：-
外壳：-
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料号：JTG10-3977
包装： 1500个/
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个
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDMD8440L
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： FET ENGR DEV-NOT REL
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V
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包装：
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合作现货:0
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型号： FDMD8630
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：38A（Ta），167A（Tc）
4最大功率值4：2.3W（Ta），43W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-Power 5x6
料号：JTG10-3979
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMD8630' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8630' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8630' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8630' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NX3008PBKVL
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： NX3008PBK/SOT23/TO-236AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：230mA（Ta）
4最大功率值4：350mW（Ta），1.14W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：TO-236AB
料号：JTG10-3980
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX3008PBKVL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX3008PBKVL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 2N7002PSZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：320mA（Ta）
4最大功率值4：280mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-3981
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002PSZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002PSZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002PSZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002PSZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NX6020CAKSX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET N/P-CH 60/50V 170MA TSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V，50V
3电流-连续漏极(id)3：170mA（Ta）
4最大功率值4：330mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG10-3982
包装： 3000个/
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合作现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： PMDT290UNEYL
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： PMDT290UNE/SOT666/SOT6
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：800mA（Ta）
4最大功率值4：500mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG10-3983
包装：
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合作现货:0
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型号： PMDT290UCEH
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： PMDT290UCE/SOT666/SOT6
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta），550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380毫欧 @ 500mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA，1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:680pC，1.14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF，87pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：800mA（Ta），550mA（Ta）
4最大功率值4：330mW（Ta），1.09W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG10-3984
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMDT290UCEH' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMDPB30XNZ
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 6HUSON
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta），550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380毫欧 @ 500mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA，1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:680pC，1.14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF，87pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A（Ta）
4最大功率值4：490mW（Ta），8.33W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-HUSON-EP（2x2）
料号：JTG10-3985
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： NX1029XH
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： NX1029X/SOT666/SOT6
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta），550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380毫欧 @ 500mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA，1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:680pC，1.14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF，87pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Ta），170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6欧姆 @ 500mA，10V，7.5欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC，350pC @ 4.5V，5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF，36pF @ 10V，25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：330mA（Ta），170mA（Ta）
4最大功率值4：330mW（Ta），1.09W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG10-3986
包装：
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合作现货:0
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型号： CWDM305PD TR13 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta），550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380毫欧 @ 500mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA，1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:680pC，1.14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF，87pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Ta），170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6欧姆 @ 500mA，10V，7.5欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC，350pC @ 4.5V，5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF，36pF @ 10V，25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-3987
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CWDM305PD TR13 PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CWDM305PD TR13 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CWDM305PD TR13 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CWDM305PD TR13 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CWDM305ND TR13 PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:60.8A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:33nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2370pF @ 20V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:24A（Ta），127A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:38nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2450pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:14A（Ta），74A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 96µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2002pF @ 40V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 320µA，3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30nC，104nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1370pF，5105pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA，2V @ 800µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 13V，3603pF @ 13V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:25A（Ta），145A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.65 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 90µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3170pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF 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制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Ta），170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6欧姆 @ 500mA，10V，7.5欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC，350pC @ 4.5V，5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF，36pF @ 10V，25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 10V
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封装：8-SOIC
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状态： 在售
型号： IPG20N06S4L11ATMA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET_)40V 60V)
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*1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），111A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 98µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:37nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2546pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:21A（Ta），87A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.6 毫欧 @ 21A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:62nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4150pF @ 20V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:38A（Ta），167A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1 毫欧 @ 38A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:142nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9930pF @ 15V 系列:小信号MOSFET 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:230mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:320mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V，50V *3电流-连续漏极(id)*3:170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V，7.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.43nC @ 4.5V，0.35nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:17pF @ 10V，36pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.68nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA（Ta），550mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:380毫欧 @ 500mA，4.5V，850毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA，1.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:680pC，1.14nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:83pF，87pF @ 10V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:330mA（Ta），170mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6欧姆 @ 500mA，10V，7.5欧姆 @ 100mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:600nC，350pC @ 4.5V，5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF，36pF @ 10V，25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:590pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.3nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:560pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.2 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 28µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:53nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4020pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
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2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A（Tc）
4最大功率值4：65W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-PowerVDFN
封装：PG-TDSON-8-10
料号：JTG10-3990
包装： 5000个/
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合作现货:0
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