首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FF6MR12KM1BOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER 62MM
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：250A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-62MM
料号：JTG10-3992
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF6MR12KM1BOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF6MR12KM1BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF6MR12KM1BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF6MR12KM1BOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF6MR12KM1PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER 62MM
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：250A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-62MM
料号：JTG10-3993
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF6MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF6MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF6MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF6MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF3MR12KM1PHOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER 62MM
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：375A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-62MM
料号：JTG10-3994
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF3MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF3MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF3MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF3MR12KM1PHOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： WAB300M12BM3
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： 1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：382A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3995
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'WAB300M12BM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WAB300M12BM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WAB300M12BM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WAB300M12BM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FF2MR12KM1HOSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MEDIUM POWER 62MM
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：500A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：AG-62MM
料号：JTG10-3996
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FF2MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF2MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF2MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FF2MR12KM1HOSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： WAB400M12BM3
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： 1200 V, 400 A HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：468A（Tc）
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：模块
封装：模块
料号：JTG10-3997
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'WAB400M12BM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WAB400M12BM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WAB400M12BM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WAB400M12BM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4600CL
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-4003
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4600CL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4600CL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4600CL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4600CL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4612L
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A (Ta)，3.2A (Ta)
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4004
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4612L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4612L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4612L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4612L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4614BL
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A (Ta)，5A (Ta)
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4005
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4614BL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4614BL_201
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A (Ta)，5A (Ta)
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4006
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4614BL_201' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL_201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL_201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL_201' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4614BL_DELTA
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A (Ta)，5A (Ta)
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4007
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4614BL_DELTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL_DELTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL_DELTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4614BL_DELTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4616L
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8.1A (Ta)，7.1A (Ta)
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4008
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4616L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NX138BK
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述：
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG10-4115
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NX138BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4616L_103
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8.1A (Ta)，7.1A (Ta)
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4009
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4616L_103' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L_103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L_103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4616L_103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4813L
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET P-CH DUAL 30V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1573pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.1A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4010
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4813L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4813L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4813L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4813L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4818BL
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4011
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4818BL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4818BL_102
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4012
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4818BL_102' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818BL_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818BL_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4818BL_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态：
型号： AO4840L
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH DUAL 40V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4013
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4840L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态：
型号： NX138AK
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述：
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404pF @ 20V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：JTG10-4114
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NX138AK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138AK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138AK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NX138AK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4840L_102
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N-CH DUAL 40V 8SOIC
参数： 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81 毫欧 @ 250A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:250A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.81mOhm @ 250A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 80mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:496nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14700pF @ 800V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:375A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.83mOhm @ 375A, 15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 168mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1000nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29800pF @ 25V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:382A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.2 毫欧 @ 300A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 92mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:908nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:24500pF @ 1000V 系列:CoolSiC™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:500A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.13 毫欧 @ 500A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5.15V @ 224mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1340nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:39700pF @ 800V 系列:- 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:468A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4.25 毫欧 @ 400A，15V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.6V @ 106mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1040nC @ 15V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:29700pF @ 800V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A (Ta)，3.2A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:56 毫欧 @ 4.5A，10V，105 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V，20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:540pF @ 30V，1120pF @ 30V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A (Ta)，5A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.8nC @ 10V，22nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 20V，1175pF @ 20V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A (Ta)，7.1A (Ta) 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8.1A，10V，25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.2nC @ 10V，30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1250pF @ 15V，1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1573pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404pF @ 20V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:6A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:31 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：6A（Ta）
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-4014
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4840L_102' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4840L_102' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页4001-4020条    201/273页    首 页    上一页   197  198  199  200  201  202  203  204  205   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922