首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MCH6606-TL-EX
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： INTEGRATED CIRCUIT
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-4097
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH6606-TL-EX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6606-TL-EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6606-TL-EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6606-TL-EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KGF16N05D-400
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共源
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：5.5V
3电流-连续漏极(id)3：16A（Ta）
4最大功率值4：2.5W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-UFLGA，CSP
封装：20-WLCSP（2.48x1.17）
料号：JTG10-4098
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KGF16N05D-400' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KGF16N05D-400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KGF16N05D-400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KGF16N05D-400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： GWS4621L
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： MOSFET 2N-CH
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：10.1A（Ta）
4最大功率值4：3.6W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：4-XFLGA，CSP
封装：4-WLCSP（1.82x1.82）
料号：JTG10-4099
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GWS4621L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWS4621L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWS4621L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GWS4621L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KGF6N05D-400
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC MOSFET N-CH
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共源
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：5.5V
3电流-连续漏极(id)3：12A（Ta）
4最大功率值4：2.5W（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-UFLGA，CSP
封装：20-WLCSP（2.48x1.17）
料号：JTG10-4100
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KGF6N05D-400' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KGF6N05D-400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KGF6N05D-400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KGF6N05D-400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDMD8430
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： FET ENGR DEV-NOT REL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共源
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：28A（Ta），95A（Tc）
4最大功率值4：2.1W（Ta），29W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-PowerWDFN
封装：8-PQFN（3.3x5）
料号：JTG10-4101
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMD8430' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8430' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8430' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8430' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDG6303N-F169
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：500mA（Ta）
4最大功率值4：300mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88（SC-70-6）
料号：JTG10-4102
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDG6303N-F169' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6303N-F169' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6303N-F169' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6303N-F169' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDG6332C-F085P
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DUAL NP MOS SC70-6 20V
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：700mA（Ta），600mA（Ta）
4最大功率值4：300mW（Ta）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-4103
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDG6332C-F085P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6332C-F085P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6332C-F085P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6332C-F085P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSTJD4001NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET P-CH SC88
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-4104
包装： 3000个/
￥1.03 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSTJD4001NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CTLDM8120-M832DS BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：860mA（Ta）
4最大功率值4：1.65W
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TDFN 裸露焊盘
封装：TLM832DS
料号：JTG10-4107
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CTLDM8120-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM8120-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM8120-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM8120-M832DS BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CTLDM8120-M832DS TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET DUAL N-CHANNEL
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：860mA（Ta）
4最大功率值4：1.65W
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TDFN 裸露焊盘
封装：TLM832DS
料号：JTG10-4108
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CTLDM8120-M832DS TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM8120-M832DS TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM8120-M832DS TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CTLDM8120-M832DS TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9MFF-65PSS,518
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 9605 AUTO TRENCH PLUS
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：65V
3电流-连续漏极(id)3：13.6A（Tc）
4最大功率值4：4.75W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SO
料号：JTG10-4109
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK9MFF-65PSS,518' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MFF-65PSS,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MFF-65PSS,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MFF-65PSS,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9MGP-55PTS,518
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 9648 MISC TRENCHFET
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：55V
3电流-连续漏极(id)3：16.9A（Tc），9.16A（Tc）
4最大功率值4：5.2W（Tc），3.9W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SO
料号：JTG10-4110
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK9MGP-55PTS,518' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MGP-55PTS,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MGP-55PTS,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MGP-55PTS,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9MHH-65PNN,518
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 9605 AUTO TRENCH PLUS
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：65V
3电流-连续漏极(id)3：15A（Tc）
4最大功率值4：5W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SO
料号：JTG10-4111
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK9MHH-65PNN,518' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MHH-65PNN,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MHH-65PNN,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MHH-65PNN,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9MJJ-65PLL,518
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 9605 AUTO TRENCH PLUS
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2660pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：65V
3电流-连续漏极(id)3：11.6A（Tc）
4最大功率值4：4.4W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SO
料号：JTG10-4112
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK9MJJ-65PLL,518' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MJJ-65PLL,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MJJ-65PLL,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MJJ-65PLL,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9MNN-65PKK,518
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： 9605 AUTO TRENCH PLUS
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2660pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32.8 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：65V
3电流-连续漏极(id)3：7.1A（Tc）
4最大功率值4：3.57W（Tc）
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SO
料号：JTG10-4113
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK9MNN-65PKK,518' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MNN-65PKK,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MNN-65PKK,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9MNN-65PKK,518' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AOC3860C
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述：
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2660pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32.8 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 25V 系列:undefined 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：6-SMD，无引线
封装：6-ALPHADFN（3.05X1.77）
料号：JTG10-4117
包装： 8000个/
￥3.69 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AOC3860C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3860C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3860C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AOC3860C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CJAC20N06D
品牌： CJ/长晶 JCET 长电
描述：
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2660pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32.8 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 25V 系列:undefined 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：
封装：
料号：JTG10-4118
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CJAC20N06D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CJ/长晶' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CJAC20N06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CJAC20N06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CJAC20N06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N7002DW(CJ)
品牌： CJ/长晶 JCET 长电
描述：
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2660pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32.8 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 25V 系列:undefined 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：
封装：
料号：JTG10-4119
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002DW(CJ)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CJ/长晶' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW(CJ)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW(CJ)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002DW(CJ)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N7002KDW
品牌： CJ/长晶 JCET 长电
描述：
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2660pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32.8 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 25V 系列:undefined 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：
封装：
料号：JTG10-4120
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002KDW' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CJ/长晶' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002KDW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002KDW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002KDW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2N7002V(CJ)
品牌： CJ/长晶 JCET 长电
描述：
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:16A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:0.95 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:600pF @ 5V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:10.1A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1125pF @ 10V 系列:- 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:5.5V *3电流-连续漏极(id)*3:12A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:0.9V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4nC @ 3.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 5.5V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共源 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:28A（Ta），95A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.12 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5035pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA（Ta），600mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:113pF @ 10V，114pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:860mA（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.56nC(4.5V) 不同 vds 时的输入电容（ciss）:200pF @ 16V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:13.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12.3 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3052pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:55V *3电流-连续漏极(id)*3:16.9A（Tc），9.16A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V，22.6 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:54nC @ 5V，23nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5178pF @ 25V，2315pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:15A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10.6 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:44.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3643pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:11.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:30.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2660pF @ 25V 系列:TrenchPLUS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:65V *3电流-连续漏极(id)*3:7.1A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32.8 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:15nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1180pF @ 25V 系列:undefined 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:Multi-Channel MOSFET 制造商:CJ/长晶 制造商统称:未设定 制造商统称:CJ（江苏长电/长晶） 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：
封装：
料号：JTG10-4121
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002V(CJ)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'CJ/长晶' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002V(CJ)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002V(CJ)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002V(CJ)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页4101-4120条    206/273页    首 页    上一页   202  203  204  205  206  207  208  209  210   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922