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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： TT8J11TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A
4最大功率值4：650mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-TSST
料号：JTG10-657
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TT8J11TCR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TT8J11TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TT8J11TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TT8J11TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VT6J1T2CR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：100mA
4最大功率值4：120mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：VMT6
料号：JTG10-658
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VT6J1T2CR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6J1T2CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6J1T2CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT6J1T2CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SI1023X-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：370mA
4最大功率值4：250mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SC-89-6
料号：JTG10-659
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1023X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1023X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1023X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1023X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EM6K31T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：250mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG10-660
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EM6K31T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K31T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K31T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K31T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NTZD3154NT5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：540mA
4最大功率值4：250mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563-6
料号：JTG10-661
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTZD3154NT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3154NT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3154NT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTZD3154NT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZXMN3F31DN8TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.7A
4最大功率值4：1.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-662
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXMN3F31DN8TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMN3F31DN8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMN3F31DN8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMN3F31DN8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXMN3G32DN8TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.5A
4最大功率值4：1.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-663
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXMN3G32DN8TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMN3G32DN8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMN3G32DN8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMN3G32DN8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN3190LDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：1A
4最大功率值4：320mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-664
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3190LDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3190LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3190LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3190LDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SSM6N43FU,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：500mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：US6
料号：JTG10-665
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSM6N43FU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N43FU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N43FU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSM6N43FU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN32D4SDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：650mA
4最大功率值4：290mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-666
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN32D4SDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN32D4SDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN32D4SDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN32D4SDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN62D0UDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：350mA
4最大功率值4：320mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-667
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN62D0UDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN62D0UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN62D0UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN62D0UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDG6301N_F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 N 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：220mA
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-668
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDG6301N_F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6301N_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMP1046UFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：3.8A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6
料号：JTG10-669
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMP1046UFDB-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP1046UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP1046UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMP1046UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMN2014LHAB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 10V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：9A
4最大功率值4：800mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2030-6
料号：JTG10-670
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2014LHAB-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2014LHAB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2014LHAB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2014LHAB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TT8M3TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A，2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A，2.4A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-TSST
料号：JTG10-671
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TT8M3TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： DMC3032LSD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A，2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404.5pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8.1A，7A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-672
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC3032LSD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3032LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3032LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3032LSD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTLUD3A260PZTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A，2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404.5pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.3A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（1.6X1.6）
料号：JTG10-673
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： EM6K7T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A，2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404.5pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：200mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG10-674
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EM6K7T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K7T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN5010VAK-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A，2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404.5pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：50V
3电流-连续漏极(id)3：280mA
4最大功率值4：250mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-675
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN5010VAK-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN5010VAK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDG6318PZ
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:43 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 6V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.2V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:100mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:450mV @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:608pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:472pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 1.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:87pF @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:630 毫欧 @ 200mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.23nC @ 4V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.3nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:32pF @ 30V 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:220mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:4 欧姆 @ 220mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9.5pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:61 毫欧 @ 3.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17.9nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:915pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1550pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A，2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:72 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:260pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A，7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:404.5pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:780 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.62nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:85.4pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：500mA
4最大功率值4：300mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6
料号：JTG10-676
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDG6318PZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6318PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6318PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDG6318PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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