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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： TT8J13TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-TSST
料号：JTG10-677
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TT8J13TCR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TT8J13TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TT8J13TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TT8J13TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN601VKQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：305mA
4最大功率值4：250mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-678
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN601VKQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN601VKQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN601VKQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN601VKQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FDY2000PZ
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：350mA
4最大功率值4：446mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SC-89-6
料号：JTG10-679
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDY2000PZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDY2000PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDY2000PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDY2000PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2N7002PV,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：350mA
4最大功率值4：330mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-666
料号：JTG10-680
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002PV,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002PV,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002PV,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002PV,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MTMC8E280LBF
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：W迷你型8-F1
料号：JTG10-681
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTMC8E280LBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTMC8E280LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTMC8E280LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTMC8E280LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMN61D8LVT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：630mA
4最大功率值4：820mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-682
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN61D8LVT-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVT-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EM6K31GT2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：250mA
4最大功率值4：120mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG10-683
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EM6K31GT2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K31GT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K31GT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6K31GT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI1553CDL-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：700mA，500mA
4最大功率值4：340mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6（SOT-363）
料号：JTG10-684
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1553CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1553CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1553CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1553CDL-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN601DWK-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：305mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-685
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN601DWK-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN601DWK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN601DWK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN601DWK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态：
型号： NTJD4105CT2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V，8V
3电流-连续漏极(id)3：630mA，775mA
4最大功率值4：270mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG10-686
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTJD4105CT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN3035LWN-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.5A
4最大功率值4：770mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：V-DFN3020-8
料号：JTG10-687
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3035LWN-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3035LWN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC3730UFL3-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：1.1A，700mA
4最大功率值4：390mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-XFDFN
封装：X2-DFN1310-6
料号：JTG10-688
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC3730UFL3-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3730UFL3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC3730UFL3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： DMN61D8LVT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：630mA
4最大功率值4：820mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：TSOT-26
料号：JTG10-689
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN61D8LVT-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： QH8MA2TCR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:365pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A，3A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：TSMT8
料号：JTG10-690
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QH8MA2TCR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QH8MA2TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QH8MA2TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QH8MA2TCR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： EM6J1T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:365pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：200mA
4最大功率值4：150mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG10-691
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6J1T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6J1T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EM6J1T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN2028UFU-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:365pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:887pF @ 10V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：7.5A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2030-6
料号：JTG10-692
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2028UFU-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2028UFU-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2028UFU-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2028UFU-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SSM6L11TU(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:365pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:887pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145毫欧 @ 250MA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:268pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：500mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：UF6
料号：JTG10-693
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMN2050LFDB-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:365pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:887pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145毫欧 @ 250MA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:268pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:389pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.3A
4最大功率值4：730mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6
料号：JTG10-694
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2050LFDB-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2050LFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2050LFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2050LFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DMN2029USD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:365pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:887pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145毫欧 @ 250MA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:268pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:389pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1171pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.8A
4最大功率值4：1.2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-695
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN2029USD-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2029USD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2029USD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN2029USD-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： ECH8660-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:62 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 6V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 10V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:250mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.4 欧姆 @ 250mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:700mA，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:38pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:305mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:50pF @ 25V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V，8V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA，775mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:375 毫欧 @ 630mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:46pF @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:399pF @ 15V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.1A，700mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:65.9pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:365pF @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:200mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:115pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:887pF @ 10V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:145毫欧 @ 250MA，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:268pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:389pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1171pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:59 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:240pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-ECH
料号：JTG10-696
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ECH8660-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8660-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8660-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8660-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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