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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FDMD8560L
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：22A，93A
4最大功率值4：2.2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-POWER 5X6
料号：JTG10-929
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMD8560L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8560L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8560L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8560L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FDMD8260LET60
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：15A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：12-POWERWDFN
封装：12-POWER3.3X5
料号：JTG10-930
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMD8260LET60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8260LET60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8260LET60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMD8260LET60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NTMFD4C86NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：11.3A，18.1A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-DFN（5X6）
料号：JTG10-931
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTMFD4C86NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C86NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C86NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTMFD4C86NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FPF1C2P5BF07A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：5 N 沟道（太阳能逆变器）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：650V
3电流-连续漏极(id)3：36A
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：F1 模块
封装：F1
料号：JTG10-932
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FPF1C2P5BF07A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FPF1C2P5BF07A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FPF1C2P5BF07A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FPF1C2P5BF07A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AAT7347IAS-T1
品牌： Skyworks/思佳讯 Skyworks Solutions Inc. 思佳讯
描述： MOSFET 8SOP
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-933
包装： -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AAT7347IAS-T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Skyworks/思佳讯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AAT7347IAS-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AAT7347IAS-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AAT7347IAS-T1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BSD840NH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：880mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG10-934
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMLDM3737 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V
1Fet类型1：2 个 N 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：540mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-935
包装： 带卷（TR）
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLDM3737 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLDM3737 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLDM3737 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLDM3737 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMRDM3575 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT963
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：160mA，140mA
4最大功率值4：125mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-963
封装：SOT-963
料号：JTG10-936
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMRDM3575 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMRDM3575 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMRDM3575 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMRDM3575 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IRF7503TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.4A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：MICRO8™
料号：JTG10-937
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7503TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7503TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7503TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7503TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMLDM8002AG TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
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3电流-连续漏极(id)3：280mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-938
包装： 带卷（TR）
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型号： CMKDM8005 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT363
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V
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4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-939
包装： 带卷（TR）
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMLDM8005 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：650mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-940
包装： 带卷（TR）
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型号： IRF7104TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-941
包装： 4000个/
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合作现货:0
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型号： IRF8313PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRENCH <= 40V
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：-
封装：-
料号：JTG10-3613
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF40H233XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF40H233XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF40H233XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： IRF9953TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-943
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF9953TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9953TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9953TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF9953TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRF7306TR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:650V *3电流-连续漏极(id)*3:36A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 27A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Skyworks/思佳讯 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:880mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 880mA，2.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:750mV @ 1.6µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.26nC @ 2.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:78pF @ 10V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:540mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:150pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.6A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-944
包装：
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型号： IRL6372PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） 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沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
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3电流-连续漏极(id)3：8.1A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-945
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRL6372PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRL6372PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IPG20N06S4L26ATMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） 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制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1430pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：33W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：PG-TDSON-8-4（5.15X6.15）
料号：JTG10-946
包装： 5000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： IRF7304TRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
参数： 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:22A，93A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3.2 毫欧 @ 22A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:128nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11130pF @ 30V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.8 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:68nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5245pF @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:11.3A，18.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1153pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:5 N 沟道（太阳能逆变器） 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@ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:160mA，140mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:3 欧姆 @ 100mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.46nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:9pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:50V *3电流-连续漏极(id)*3:280mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:70pF @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:290pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:9.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15.5 毫欧 @ 9.7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.35V @ 25µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:90nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:760pF @ 15V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 15V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:440pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:11nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1020pF @ 25V 系列:OptiMOS™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:26 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1430pF @ 25V 系列:HEXFET® 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:700mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:610pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.3A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-947
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRF7304TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRF7304TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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