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元器件型号：5451 件
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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ALD110900ASAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1008
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110900ASAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110900ASAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110900ASAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110900ASAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD110900APAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1009
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110900APAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110900APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110900APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110900APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD210800SCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1010
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD210800SCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210800SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210800SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210800SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD1102SAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V
1Fet类型1：2 P 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1011
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1102SAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102SAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IRFI4020H-117P
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：9.1A
4最大功率值4：21W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-220-5 整包
封装：TO-220-5 整包
料号：JTG10-1012
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRFI4020H-117P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFI4020H-117P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFI4020H-117P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRFI4020H-117P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD210800APCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG10-1013
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD210800APCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210800APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210800APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD210800APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD1101ASAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1014
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1101ASAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101ASAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101ASAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1101ASAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM10HM19FT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：70A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1015
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM10HM19FT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10HM19FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10HM19FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM10HM19FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM50H14FT3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：26A
4最大功率值4：208W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1016
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50H14FT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50H14FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50H14FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50H14FT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60AM242G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
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3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模块
封装：*
料号：JTG10-1017
包装：
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型号： APTM10HM05FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：278A
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外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1018
包装：
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型号： APTM20AM04FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V
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5Fet功能5：标准
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外壳：SP6
封装：SP6
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型号： CSD87333Q3DT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：逻辑电平栅极，5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：15A
4最大功率值4：6W
6工作温度6：125°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-VSON（3.3X3.3）
料号：JTG10-1020
包装： 250个/
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合作现货:0
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型号： ALD114904SAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1021
包装：
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2~5天可到达
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型号： ALD110904SAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1022
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMKDM8005 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT363
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：650mA
4最大功率值4：350mW
6工作温度6：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-3605
包装： 3000个/
￥1.56 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD110904PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1023
包装：
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型号： ALD110902PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 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替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds 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系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.2V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:220mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1024
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110902PAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ALD110908ASAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.2V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:220mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1025
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110908ASAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： ALD110908APAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10pF @ 5V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:9.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.9V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1240pF @ 25V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:75 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:70A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 35A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:200nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5100pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:26A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:168 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:72nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3259pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:278A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 125A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:700nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:372A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5 毫欧 @ 186A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28900pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:15A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14.3 毫欧 @ 4A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:662pF @ 15V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:360mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:650mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:100pF @ 16V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.2V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:220mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1026
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110908APAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110908APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110908APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110908APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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