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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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*fet 类型

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ALD114935PAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1027
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD114935PAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114935PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114935PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114935PAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD114813SCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1028
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD114813SCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114813SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114813SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114813SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD110800SCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1029
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110800SCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110800SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110800SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110800SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD110800ASCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1030
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110800ASCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110800ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110800ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110800ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ALD114804ASCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1031
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD114804ASCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114804ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114804ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114804ASCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD210800ASCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：80mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1032
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD210800ASCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： SMA5131
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：250V
3电流-连续漏极(id)3：2A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG10-1033
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA5131' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5131' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5131' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5131' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SLA5212
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：35V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：15-SIP，裸焊盘，成形引线
封装：15-SIP
料号：JTG10-1034
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SLA5212' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5212' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5212' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5212' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMA5133
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG10-1035
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA5133' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5133' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5133' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMA5133' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： SLA5060
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V
1Fet类型1：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：12-SIP
封装：12-SIP
料号：JTG10-1036
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5060' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SLA5075
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：15-SIP，裸焊盘，成形引线
封装：15-SIP
料号：JTG10-1037
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5075' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5075' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SLA5075' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMA5118
品牌： Sanken Sanken
描述： MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：5A
4最大功率值4：4W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：12-SIP，裸焊盘
封装：12-SIP
料号：JTG10-1038
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMA5118' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Sanken' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： FMP26-02P
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:26A，17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2720pF @ 25V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：26A，17A
4最大功率值4：125W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：I4-PAC™-5
封装：ISOPLUS I4-PAC™
料号：JTG10-1039
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMP26-02P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP26-02P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP26-02P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMP26-02P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTC60DSKM24T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:26A，17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2720pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：2 N 沟道（双路降压斩波器）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：95A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1040
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60DSKM24T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60DSKM24T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTC60HM35T3G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:26A，17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2720pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：72A
4最大功率值4：416W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1041
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60HM35T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM35T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM35T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60HM35T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTM100H45STG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:26A，17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2720pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：18A
4最大功率值4：357W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1042
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100H45STG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM50AM38STG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:26A，17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2720pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：90A
4最大功率值4：694W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG10-1043
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50AM38STG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTC60TDUM35PG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:770pF @ 10V 系列:Polar™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:26A，17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:70nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2720pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双路降压斩波器） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:95A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:300nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：600V
3电流-连续漏极(id)3：72A
4最大功率值4：416W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1044
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC60TDUM35PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60TDUM35PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60TDUM35PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC60TDUM35PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTM120H29FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:35V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:220 毫欧 @ 3A，4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:320pF @ 10V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 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*3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：34A
4最大功率值4：780W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1045
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CSD87501LT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:20mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD®, Zero Threshold™ 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:80mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 欧姆 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:10mV @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:15pF @ 5V 系列:- 制造商:Sanken 制造商统称:未设定 制造商统称:Sanken 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:250V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 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*3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:154nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4350pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:90A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:45 毫欧 @ 45A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:246nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:11200pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:600V *3电流-连续漏极(id)*3:72A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:518nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:POWER MOS 7® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:34A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:348 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:374nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10300pF @ 25V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：10-XFBGA
封装：10-PICOSTAR（3.37X1.47）
料号：JTG10-1046
包装： 250个/
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