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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SI4539ADY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.4A，3.7A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1125
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4539ADY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4539ADY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4539ADY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4539ADY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STS2DPF80
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：80V
3电流-连续漏极(id)3：2A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1126
包装： 2500个/
￥5.80 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS2DPF80' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS2DPF80' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS2DPF80' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS2DPF80' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
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状态： 在售
型号： STS4DPF20L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1127
包装： 2500个/
￥7.41 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS4DPF20L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DPF20L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DPF20L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DPF20L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STL8DN6LF3
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：65W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X6）
料号：JTG10-1128
包装： 3000个/
￥7.67 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL8DN6LF3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL8DN6LF3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL8DN6LF3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL8DN6LF3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI7220DN-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：3.4A
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® 1212-8 双
封装：POWERPAK® 1212-8 DUAL
料号：JTG10-1129
包装： 3000个/
￥6.98 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI7220DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7220DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7220DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI7220DN-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CSD87334Q3DT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：6W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-VSON（3.3X3.3）
料号：JTG10-1130
包装： 250个/
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CSD87352Q5D
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：25A
4最大功率值4：8.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERLDFN
封装：8-LSON（5X6）
料号：JTG10-1131
包装： 2500个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSD87352Q5D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDMS3668S
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）非对称型
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：13A，18A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：8-PQFN（5X6），POWER56
料号：JTG10-1132
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS3668S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS3668S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMS3668S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EPC2108ENGRT
品牌： EPC EPC
描述： TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V
1Fet类型1：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：60V，100V
3电流-连续漏极(id)3：1.7A，500mA
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-1133
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： STL66DN3LLH5
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：78.5A
4最大功率值4：72W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X6）
料号：JTG10-1134
包装： 3000个/
￥6.94 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL66DN3LLH5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL66DN3LLH5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EPC2107ENGRT
品牌： EPC EPC
描述： TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V
1Fet类型1：3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
5Fet功能5：GaNFET（氮化镓）
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：1.7A，500mA
4最大功率值4：-
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：模具
封装：模具
料号：JTG10-1135
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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海外现货:0
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型号： SI4563DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：3.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1136
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4563DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4563DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4563DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4563DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI4340CDY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：14.1A，20A
4最大功率值4：3W，5.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOICN
料号：JTG10-1137
包装： 2500个/
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4340CDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4340CDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： TPS1120D
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:15V *3电流-连续漏极(id)*3:1.17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：15V
3电流-连续漏极(id)3：1.17A
4最大功率值4：840mW
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1138
包装：
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状态： 在售
型号： STL20DN10F7
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:15V *3电流-连续漏极(id)*3:1.17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:DeepGATE™, STripFET™ VII 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:408pF @ 50V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：62.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X6）
料号：JTG10-1139
包装： 3000个/
￥6.90 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL20DN10F7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI7942DP-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:15V *3电流-连续漏极(id)*3:1.17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:DeepGATE™, STripFET™ VII 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:408pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：3.8A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：POWERPAK® SO-8 双
封装：POWERPAK® SO-8 DUAL
料号：JTG10-1140
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： CSD87350Q5D
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:15V *3电流-连续漏极(id)*3:1.17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:DeepGATE™, STripFET™ VII 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:408pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.9 毫欧 @ 20A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1770pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：40A
4最大功率值4：12W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERLDFN
封装：8-LSON（5X6）
料号：JTG10-1141
包装： 2500个/
￥10.94 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DI9942T
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） 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vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:15V *3电流-连续漏极(id)*3:1.17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:DeepGATE™, STripFET™ VII 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:408pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.9 毫欧 @ 20A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1770pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：2.5A
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-1142
包装： 带卷（TR）
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状态： 在售
型号： SP8J5TB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） 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*1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:15V *3电流-连续漏极(id)*3:1.17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 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Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-1143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SP8J5TB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8J5TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8J5TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SP8J5TB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DI9952T
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
参数： 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:36 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA（最小） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:80V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:250 毫欧 @ 1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:739pF @ 25V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:13nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:668pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 4.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6 毫欧 @ 12A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1260pF @ 15V 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:25A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 15V 系列:PowerTrench® 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）非对称型 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:13A，18A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 毫欧 @ 13A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:29nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1765pF @ 15V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:60V，100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:190 毫欧 @ 2.5A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.22nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:22pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:78.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:6.5 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1500pF @ 25V 系列:eGaN® 制造商:EPC 制造商统称:未设定 制造商统称:EPC 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:3 N 沟道（半桥 + 同步自举） *5Fet功能*5:GaNFET（氮化镓） *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A，500mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:320 毫欧 @ 2A，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:16 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:85nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2390pF @ 20V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:14.1A，20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:32nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 10V 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:15V *3电流-连续漏极(id)*3:1.17A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5.45nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:DeepGATE™, STripFET™ VII 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.8nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:408pF @ 50V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 5.9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:NexFET™ 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:40A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:5.9 毫欧 @ 20A，8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10.9nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1770pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2600pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.9A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-1144
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DI9952T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DI9952T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DI9952T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DI9952T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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