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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ALD110804SCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：JTG10-1204
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110804SCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110804SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110804SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110804SCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ALD114835PCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG10-1205
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD114835PCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114835PCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114835PCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114835PCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ALD110808APCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG10-1206
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD110808APCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110808APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110808APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD110808APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ALD114804APCL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V
1Fet类型1：4 N 沟道，配对
5Fet功能5：耗尽模式
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：12mA，3mA
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：16-DIP(7.62mm)
封装：16-PDIP
料号：JTG10-1207
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD114804APCL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114804APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114804APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD114804APCL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ALD1102APAL
品牌： ALD/先进线性器件 Advanced Linear 先进线性
描述： MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 P 沟道（双）配对
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：10.6V
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TJ）
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：JTG10-1208
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ALD1102APAL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ALD/先进线性器件' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ALD1102APAL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMN61D9UDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：350mA
4最大功率值4：320mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG10-1209
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN61D9UDW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D9UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D9UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D9UDW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MCMNP517-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：6A，4.1A
4最大功率值4：-
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：DFN2020-6U
料号：JTG10-1210
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCMNP517-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCMNP517-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCMNP517-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCMNP517-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AON7810
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：3.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERSMD，扁平引线
封装：8-DFN（3X3）
料号：JTG10-1211
包装： 5000个/
￥1.81 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON7810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON7810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON7810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ECH8697R-TL-W
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：24V
3电流-连续漏极(id)3：10A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：SOT-28FL/ECH8
料号：JTG10-1212
包装： 3000个/
￥2.27 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ECH8697R-TL-W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8697R-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8697R-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ECH8697R-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMT3020LFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V
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5Fet功能5：标准
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4最大功率值4：700mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
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状态： 在售
型号： BUK9M11-40EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
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封装：LFPAK33 (SOT1210)
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状态： 在售
型号： DMN2011UFX-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
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6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：4-WFDFN 裸露焊盘
封装：V-DFN2050-4
料号：JTG10-1215
包装： 3000个/
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型号： STL20DNF06LAG
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：20A
4最大功率值4：75W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERVDFN
封装：POWERFLAT™（5X6）
料号：JTG10-1216
包装：
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STL20DNF06LAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL20DNF06LAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL20DNF06LAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STL20DNF06LAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STS8DNF3LL
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1217
包装： 2500个/
￥5.08 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS8DNF3LL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8DNF3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8DNF3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS8DNF3LL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SIZ704DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：12A，16A
4最大功率值4：20W，30W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-POWERPAIR™
封装：6-POWERPAIR™
料号：JTG10-1218
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： DMTH4007SPD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2026pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：14.2A
4最大功率值4：2.6W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：POWERDI5060-8
料号：JTG10-1219
包装： 2500个/
￥4.96 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMTH6010LPD-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2026pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:13.1A（Ta），47.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2615pF @ 30V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：13.1A（Ta），47.6A（Tc）
4最大功率值4：2.8W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-POWERTDFN
封装：POWERDI5060-8
料号：JTG10-1220
包装： 2500个/
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状态： 在售
型号： STS4DPF30L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 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*2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF 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P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-1221
包装： 2500个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS4DPF30L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SIZ730DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2026pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:13.1A（Ta），47.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2615pF @ 30V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A，35A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：16A，35A
4最大功率值4：27W，48W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-POWERPAIR™
封装：6-POWERPAIR™
料号：JTG10-1222
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ730DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SIZ728DT-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
参数： 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.4V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:420mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:540 欧姆 @ 0V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 4.8V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:810mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:EPAD® 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 N 沟道，配对 *5Fet功能*5:耗尽模式 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:12mA，3mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:500 欧姆 @ 3.6V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:380mV @ 1µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2.5pF @ 5V 系列:- 制造商:ALD/先进线性器件 制造商统称:ALD/先进线性器件 制造商统称:Advanced Linear Devices Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 P 沟道（双）配对 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:10.6V *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:270 欧姆 @ 5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:350mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28.5pF @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:6A，4.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:630pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:542pF @ 15V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11.6 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:393pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:12.2A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:56nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2248pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:20A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22.5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:670pF @ 25V 系列:STripFET™ II 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:17nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:800pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:12A，16A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:24 毫欧 @ 7.8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:12nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:14.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:41.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2026pF @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:13.1A（Ta），47.6A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:40.2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2615pF @ 30V 系列:STripFET™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:16A，35A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.3 毫欧 @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:830pF @ 15V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:25V *3电流-连续漏极(id)*3:16A，35A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:7.7 毫欧 @ 18A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:26nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 12.5V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：25V
3电流-连续漏极(id)3：16A，35A
4最大功率值4：27W，48W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-POWERPAIR™
封装：6-POWERPAIR™
料号：JTG10-1223
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIZ728DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ728DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ728DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIZ728DT-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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