元器件型号:5451
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制造商统称

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压(vdss)

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*电流 - 连续漏极(id)

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不同id,vgs 时的rds on(最大值)

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不同 id 时的 vgs(th)(最大值)

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不同 vgs 时的栅极电荷(qg)

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不同 vds 时的输入电容(ciss)

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MCH6662-TL-W
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:2A
4最大功率值4:800mW
6工作温度6:150°C(TJ)
外壳:6-SMD,扁平引线
封装:SC-88FL/ MCPH6
料号:JTG10-1304
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH6662-TL-W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6662-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6662-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6662-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MCH6663-TL-W
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平栅极,4V 驱动
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:1.8A,1.5A
4最大功率值4:800mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-SMD,扁平引线
封装:6-MCPH
料号:JTG10-1305
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCH6663-TL-W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6663-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6663-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCH6663-TL-W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DMG1016VQ-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:870mA,640mA
4最大功率值4:530mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG10-1306
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG1016VQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016VQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016VQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016VQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DMC2004LPK-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:750mA,600mA
4最大功率值4:500mW
6工作温度6:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-SMD,无引线
封装:6-DFN1612(1.2X1.6)
料号:JTG10-1307
包装: 3000个/
1.38 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC2004LPK-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2004LPK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2004LPK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC2004LPK-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: SI1967DH-T1-E3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:1.3A
4最大功率值4:1.25W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-70-6(SOT-363)
料号:JTG10-1308
包装: 3000个/
1.24 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1967DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1967DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1967DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1967DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SI1926DL-T1-GE3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:370mA
4最大功率值4:510mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-70-3(SOT323)
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: BSS8402DWQ-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET N/P-CH 60V/50V
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:60V,50V
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4最大功率值4:200mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG10-1310
包装: 3000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BSS8402DWQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DMC1229UFDB-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
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4最大功率值4:1.4W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-UDFN 裸露焊盘
封装:U-DFN2020-6
料号:JTG10-1311
包装: 10000个/
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1229UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1229UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1229UFDB-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: AO6802
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:3.5A
4最大功率值4:1.15W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG10-1312
包装: 3000个/
1.63 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6802' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6802' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6802' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6802' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DMN3032LFDB-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V
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状态: 在售
型号: DMP2100UFU-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:20V
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4最大功率值4:900mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-UFDFN 裸露焊盘
封装:U-DFN2030-6
料号:JTG10-1314
包装:
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合作现货:0
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型号: AO6800
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V
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5Fet功能5:逻辑电平门
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封装:6-TSOP
料号:JTG10-1315
包装: 3000个/
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: MTM763250LBF
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:1.7A,1A
4最大功率值4:700mW
6工作温度6:150°C(TJ)
外壳:6-SMD,扁平引线
封装:WS迷你型6-F1-B
料号:JTG10-1316
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTM763250LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTM763250LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTM763250LBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DMN61D8LVTQ-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:630mA
4最大功率值4:820mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
封装:TSOT-26
料号:JTG10-1317
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN61D8LVTQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVTQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVTQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN61D8LVTQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: AO6808
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:4.6A
4最大功率值4:800mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SC-74,SOT-457
封装:6-TSOP
料号:JTG10-1318
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6808' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6808' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6808' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6808' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: AON2802
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):245pF @ 15V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:2A
4最大功率值4:2.1W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-WDFN 裸露焊盘
封装:6-DFN-EP(2X2)
料号:JTG10-1319
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON2802' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2802' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: AON2809
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):245pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):68 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):415pF @ 6V
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:12V
3电流-连续漏极(id)3:2A
4最大功率值4:2.1W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-WDFN 裸露焊盘
封装:6-DFN-EP(2X2)
料号:JTG10-1320
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON2809' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2809' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2809' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2809' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DMN3032LFDBQ-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):245pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):68 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):415pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:标准
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:6.2A(Ta)
4最大功率值4:1W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-UDFN 裸露焊盘
封装:U-DFN2020-6
料号:JTG10-1321
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMN3032LFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3032LFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3032LFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMN3032LFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: AON4807
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):245pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):68 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):415pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 15V
1Fet类型1:2 个 P 沟道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:4A
4最大功率值4:1.9W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SMD,扁平引线
封装:8-DFN(3X2)
料号:JTG10-1322
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON4807' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON4807' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON4807' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON4807' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: AON3818
品牌: AOS/万代 AOS 万代
描述: MOSFET 2N-CH 24V 8A
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):160 毫欧 @ 1A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):128pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极,4V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:1.8A,1.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):188 毫欧 @ 900mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):2nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):88pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA,640mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:750mA,600mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):150pF @ 16V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):490 毫欧 @ 910mA,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):110pF @ 10V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:370mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.4 欧姆 @ 340mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):18.5pF @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V,50V *3电流-连续漏极(id)*3:115mA,130mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):50pF @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A,3.8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容(ciss):914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.5A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):210pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.7A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):38 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21.4nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):906pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 3.4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):235pF @ 15V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.7A,1A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):120 毫欧 @ 1A,4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):280pF @ 10V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:630mA 不同id,vgs 时的rds on(最大值):1.8 欧姆 @ 150mA,5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):0.74nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):12.9pF @ 12V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.6A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):780pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):60 毫欧 @ 2A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):245pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):68 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):415pF @ 6V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道(双) *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:6.2A(Ta) 不同id,vgs 时的rds on(最大值):30 毫欧 @ 5.8A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):500pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道(双) *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容(ciss):290pF @ 15V 系列:AlphaMOS 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道(双)共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id,vgs 时的rds on(最大值):13.5 毫欧 @ 8A,4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):15nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容(ciss):840pF @ 12V
1Fet类型1:2 N 沟道(双)共漏
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:24V
3电流-连续漏极(id)3:8A
4最大功率值4:2.7W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:8-SMD,扁平引线
封装:8-DFN(2.9X2.3)
料号:JTG10-1323
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON3818' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON3818' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON3818' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON3818' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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