首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 多通道MOS管
元器件型号：5451 件
当前类别共5451 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*fet 类型

清除

*fet 功能

清除

*漏源极电压（vdss）

清除

*电流 - 连续漏极（id）

清除

不同id，vgs 时的rds on（最大值）

清除

不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

清除

不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

清除

不同 vds 时的输入电容（ciss）

清除

*功率 - 最大值

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 5451
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NTLUD3A260PZTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：1.3A
4最大功率值4：500mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN（1.6X1.6）
料号：JTG10-1324
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTLUD3A260PZTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD3A260PZTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD3A260PZTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTLUD3A260PZTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NTGD3148NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-50°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
封装：6-TSOP
料号：JTG10-1325
包装： 3000个/
￥1.82 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTGD3148NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTGD3148NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTGD3148NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTGD3148NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EMH2418R-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：24V
3电流-连续漏极(id)3：9A
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：SOT-383FL，EMH8
料号：JTG10-1326
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMH2418R-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH2418R-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH2418R-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH2418R-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EMH2417R-TL-H
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：11A
4最大功率值4：1.3W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：SOT-383FL，EMH8
料号：JTG10-1327
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMH2417R-TL-H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH2417R-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH2417R-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH2417R-TL-H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMG1016VQ-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 20V SOT563
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：870mA，640mA
4最大功率值4：530mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG10-1328
包装： 3000个/
￥1.54 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG1016VQ-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016VQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016VQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG1016VQ-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EFC4619R-TR
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH EFCP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：1.6W
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：4-XFBGA
封装：4-EFCP（1.61X1.61）
料号：JTG10-1329
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EFC4619R-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC4619R-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC4619R-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EFC4619R-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AON2801
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN-EP（2X2）
料号：JTG10-1330
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON2801' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2801' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2801' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2801' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC1229UFDB-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：5.6A，3.8A
4最大功率值4：1.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：6-UDFN2020（2X2）
料号：JTG10-1331
包装： 3000个/
￥1.67 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC1229UFDB-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1229UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1229UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1229UFDB-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AON2800
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A
4最大功率值4：1.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN-EP（2X2）
料号：JTG10-1332
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON2800' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2800' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2800' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2800' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STZD3155CT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET N/P-CH 20V 540MA SOT563
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：-
5Fet功能5：-
2漏源极电压(vdss)2：-
3电流-连续漏极(id)3：-
4最大功率值4：-
6工作温度6：-
外壳：
封装：
料号：JTG10-1333
包装： 4000个/
￥0.72 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZD3155CT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC1030UFDBQ-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V
1Fet类型1：N 和 P 沟道互补型
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：5.1A
4最大功率值4：1.36W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-UDFN 裸露焊盘
封装：U-DFN2020-6
料号：JTG10-1334
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC1030UFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1030UFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1030UFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC1030UFDBQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI1033X-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:-
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：145mA
4最大功率值4：250mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SC-89-6
料号：JTG10-1335
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1033X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1033X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1033X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1033X-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4627
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：4.5A，3.5A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1336
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4627' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4627' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4627' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4627' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO6801A
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.3A
4最大功率值4：1.15W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG10-1337
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO6801A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6801A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6801A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO6801A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AON2810
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（2X2）
料号：JTG10-1338
包装： 3000个/
￥1.99 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AON2810' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AON2810' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BUK9M52-40EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）:
1Fet类型1：
5Fet功能5：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4最大功率值4：
6工作温度6：
外壳：
封装：LFPAK33 (SOT1210)
料号：JTG10-1339
包装： *
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK9M52-40EX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9M52-40EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9M52-40EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK9M52-40EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI1965DH-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 6V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：12V
3电流-连续漏极(id)3：1.3A
4最大功率值4：1.25W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-70-6（SOT-363）
料号：JTG10-1340
包装： 3000个/
￥1.73 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI1965DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1965DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1965DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI1965DH-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI5933CDC-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:144 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:276pF @ 10V
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：3.7A
4最大功率值4：2.8W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-1341
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5933CDC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5933CDC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5933CDC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5933CDC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AO4854
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:144 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:276pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：JTG10-1342
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AO4854' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AOS/万代' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4854' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4854' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AO4854' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMG6968UTS-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:200 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:70 毫欧 @ 3.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:300pF @ 10V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:24V *3电流-连续漏极(id)*3:9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:15 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:11A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:16nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:870mA，640mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:0.74nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:60.67pF @ 16V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21.7nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:120 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:700pF @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.6A，3.8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:19.6nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:914pF @ 6V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:47 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 10V 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:- *5Fet功能*5:- *2漏源极电压(vdss)*2:- *3电流-连续漏极(id)*3:- 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:- 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:- 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道互补型 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:5.1A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.1nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1003pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:145mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:4.5A，3.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:5nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:210pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:115 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:315pF @ 15V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:44 毫欧 @ 2A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:235pF @ 15V 系列:在售 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1: *5Fet功能*5: *2漏源极电压(vdss)*2: *3电流-连续漏极(id)*3: 不同id，vgs 时的rds on（最大值）: 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）: 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）: 不同 vds 时的输入电容（ciss）: 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:12V *3电流-连续漏极(id)*3:1.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:390 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.2nC @ 8V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:120pF @ 6V 系列:TrenchFET® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:3.7A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:144 毫欧 @ 2.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:6.8nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:276pF @ 10V 系列:- 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:18nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:888pF @ 15V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（双）共漏 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:5.2A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:143pF @ 10V
1Fet类型1：2 N 沟道（双）共漏
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：5.2A
4最大功率值4：1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：JTG10-1343
包装： 2500个/
￥1.63 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG6968UTS-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6968UTS-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6968UTS-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG6968UTS-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有5451个记录    每页显示20条，本页1361-1380条    69/273页    首 页    上一页   65  66  67  68  69  70  71  72  73   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922