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元器件型号：5430 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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工作温度

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SI4909DY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：40V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：3.2W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-135
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4909DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4909DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4909DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4909DY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ZXMHC3A01N8TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：2.17A，1.64A
4最大功率值4：870mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-136
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXMHC3A01N8TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMHC3A01N8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMHC3A01N8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMHC3A01N8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI5515DC-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.4A，3A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：1206-8 CHIPFET™
料号：JTG10-137
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI5515DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5515DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5515DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI5515DC-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SI4925BDY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-138
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4925BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4925BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4925BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4925BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FDMA3027PZ
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：3.3A
4最大功率值4：700mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-WDFN 裸露焊盘
封装：6-MICROFET（2X2）
料号：JTG10-139
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMA3027PZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA3027PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA3027PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMA3027PZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4946BEY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A
4最大功率值4：3.7W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-140
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4946BEY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946BEY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946BEY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946BEY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SI4946BEY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：6.5A
4最大功率值4：3.7W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-141
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4946BEY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946BEY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946BEY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4946BEY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDMC8200
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8POWER33
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A，12A
4最大功率值4：700mW，900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-POWERWDFN
封装：8-POWER33（3X3）
料号：JTG10-142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDMC8200' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMC8200' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMC8200' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDMC8200' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： BUK7K17-60EX
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：30A
4最大功率值4：53W
6工作温度6：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
封装：LFPAK56D
料号：JTG10-143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BUK7K17-60EX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK7K17-60EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK7K17-60EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BUK7K17-60EX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 热销
型号： SI4963BDY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：4.9A
4最大功率值4：1.1W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-144
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4963BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4963BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4963BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4963BDY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI4559ADY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：5.3A，3.9A
4最大功率值4：3.1W，3.4W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-145
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4559ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4559ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4559ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4559ADY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： HP8MA2TB1
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：18A（Ta），15A（Ta）
4最大功率值4：3W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-HSOP
料号：JTG10-3651
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HP8MA2TB1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HP8MA2TB1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HP8MA2TB1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HP8MA2TB1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： FDS6875
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 P 沟道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：6A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-146
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS6875' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6875' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6875' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6875' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FDS6990AS
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.5A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-147
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS6990AS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6990AS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6990AS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6990AS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FDS6910
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1130pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：7.5A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-148
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS6910' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6910' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6910' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6910' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FDS6898A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1130pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1821pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：9.4A
4最大功率值4：900mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-149
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FDS6898A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6898A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6898A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FDS6898A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STS10DN3LH5
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1130pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1821pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 25V *4最大功率值*4:2.5W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：10A
4最大功率值4：2.5W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-150
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STS10DN3LH5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS10DN3LH5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS10DN3LH5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STS10DN3LH5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZXMHC10A07N8TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1130pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1821pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 25V *4最大功率值*4:2.5W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA，680mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:138pF @ 60V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：800mA，680mA
4最大功率值4：870mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-151
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXMHC10A07N8TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMHC10A07N8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMHC10A07N8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXMHC10A07N8TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SH8K37GZETB
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1130pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1821pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 25V *4最大功率值*4:2.5W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA，680mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:138pF @ 60V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46mOhm @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 30V *4最大功率值*4:1.4W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ）
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：60V
3电流-连续漏极(id)3：5.5A（Ta）
4最大功率值4：1.4W（Ta）
6工作温度6：150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOP
料号：JTG10-3650
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SH8K37GZETB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8K37GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8K37GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SH8K37GZETB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SI4830CDY-T1-GE3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:40V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:27 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:63nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 20V *4最大功率值*4:3.2W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:2.17A，1.64A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:125 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:3.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:190pF @ 25V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.4A，3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:40 毫欧 @ 4.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:7.5nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:50nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:3.3A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:87 毫欧 @ 3.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:435pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:6.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:41 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 30V *4最大功率值*4:3.7W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A，12A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:10nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:660pF @ 15V *4最大功率值*4:700mW，900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:30A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23.6nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1578pF @ 25V *4最大功率值*4:53W *6工作温度*6:-55°C ~ 175°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:4.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:32 毫欧 @ 6.5A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:21nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *4最大功率值*4:1.1W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.3A，3.9A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:58 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:20nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:665pF @ 15V *4最大功率值*4:3.1W，3.4W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:N 和 P 沟道 *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:18A（Ta），15A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:9.6mOhm @ 18A，10V，17.9mOhm @ 15A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:22nC，25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1100pF，1250pF @ 15V *4最大功率值*4:3W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 P 沟道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:6A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:30 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:31nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:2250pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:22 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:14nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:550pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:7.5A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:13 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:24nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1130pF @ 15V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:20V *3电流-连续漏极(id)*3:9.4A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:14 毫欧 @ 9.4A，4.5V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:23nC @ 4.5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1821pF @ 10V *4最大功率值*4:900mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:10A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.6nC @ 5V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:475pF @ 25V *4最大功率值*4:2.5W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:100V *3电流-连续漏极(id)*3:800mA，680mA 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:2.9nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:138pF @ 60V *4最大功率值*4:870mW *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ） 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:60V *3电流-连续漏极(id)*3:5.5A（Ta） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:46mOhm @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.7V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:9.7nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 30V *4最大功率值*4:1.4W（Ta） *6工作温度*6:150°C（TJ） 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:逻辑电平门 *2漏源极电压(vdss)*2:30V *3电流-连续漏极(id)*3:8A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:25nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:950pF @ 15V *4最大功率值*4:2.9W *6工作温度*6:-55°C ~ 150°C（TJ）
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
5Fet功能5：逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2：30V
3电流-连续漏极(id)3：8A
4最大功率值4：2.9W
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：JTG10-152
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI4830CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4830CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4830CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI4830CDY-T1-GE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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